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1. (WO2015130016) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM DE POLYSILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/130016    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/000853
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 27.01.2015
CIB :
C23C 26/00 (2006.01), C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01)
Déposants : EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD. [KR/KR]; 42 Chugye-ro, Yangji-myeon Cheoin-gu, Yongin-si Gyeonggi-do 449-824 (KR)
Inventeurs : SHIN, Seung-Woo; (KR).
JUNG, Woo Duck; (KR).
CHO, Sung-Kil; (KR).
CHOI, Ho Min; (KR).
OH, Wan Suk; (KR).
LEE, Koon Woo; (KR).
GWON, Hyuk Lyong; (KR).
PARK, Seong Jin; (KR).
KIM, Ki Ho; (KR).
LEE, Kang-Wook; (KR)
Mandataire : JEONG, Seong-Jin; (2nd Floor, Ace High-end Tower 3, Gasan-Dong) Rm. 204, 145 Gasan Digital 1-ro Gumchun-gu Seoul 153-787 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0022837 26.02.2014 KR
Titre (EN) METHOD FOR FORMING POLYSILICON FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM DE POLYSILICIUM
(KO) 폴리실리콘 막의 형성방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for forming a silicon film and, more specifically, to a method for forming a polysilicon film, including a pretreatment step in a process for forming a silicon film. According to one embodiment of the present invention, a method for forming a silicon film includes a pretreatment step of dropping a pretreatment gas including at least one element of nitrogen (N), carbon (C), oxygen (O), and boron (B) before annealing, in a process for forming a polysilicon film by annealing an amorphous silicon film deposited on a base.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un film de silicium et, plus spécifiquement, un procédé de formation d'un film de polysilicium, comprenant une étape de prétraitement dans un procédé de formation d'un film de silicium. Selon un mode de réalisation de la présente invention, un procédé de formation d'un film de silicium comprend une étape de prétraitement consistant à faire goutter un gaz de prétraitement comprenant au moins un élément parmi l'azote (N), le carbone (C), l'oxygène (O), et le bore (B) avant recuit, dans un procédé de formation d'un film de polysilicium par recuit d'un film de silicium amorphe déposé sur une base.
(KO)본 발명은 실리콘 막을 형성하는 방법으로서, 보다 상세하게는 실리콘 막을 형성하는 공정에서 전처리 공정을 포함하는 폴리실리콘 막 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 실리콘 막 형성 방법은 하지 (base)상에 증착된 비정질 실리콘 막을 열처리하여 폴리 실리콘 막을 만드는 공정에 있어서, 열처리 전 N, C, O, B 증 어느 하나 이상의 원소가 포함된 전처리 가스를 홀리는 전처리 공정을 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)