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1. (WO2015129910) ÉLÉMENT D'OSCILLATION ET OSCILLATEUR L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/129910    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/056025
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 24.02.2015
CIB :
H03H 7/01 (2006.01), H03B 7/14 (2006.01), H03B 9/12 (2006.01), H03H 7/38 (2006.01), H03H 11/52 (2006.01), H03B 7/08 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501 (JP)
Inventeurs : SEKIGUCHI, Ryota; (JP)
Mandataire : ABE, Takuma; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-039032 28.02.2014 JP
2015-023663 09.02.2015 JP
Titre (EN) ELEMENT FOR GENERATING OR DETECTING ELECTROMAGNETIC WAVES WHICH INCLUDES A RESONANCE UNIT AND A DIFFERENTIAL NEGATIVE RESISTANCE
(FR) ÉLÉMENT D'OSCILLATION ET OSCILLATEUR L'UTILISANT
Abrégé : front page image
(EN)An oscillation element that oscillates an electromagnetic wave includes a negative resistance element (101) and a resonator (110) including a first conductor (106) and a second conductor (104), in which the negative resistance element and the resonator are arranged on a substrate (105), the negative resistance element is electrically connected to the first conductor and the second conductor, the first conductor and the second conductor are capacitively coupled to each other, and when a capacitance between the first conductor and the second conductor is set as C, an inductance of the first conductor and the second conductor is set as L1, a speed of the oscillated electromagnetic wave in vacuum is set as c0, a relative dielectric constant of the substrate is set as εr,and a diagonal line length of the substrate is set as d, a series resonant frequency f1of the resonator satisfies f1= 1/(2π√(L1C)}, and f1< C0/[d√{(1+εr)/2}]. The resonator may be of distributed constant type, wherein the resonator includes a first conductive layer (102), a second conductive layer (103), and a third conductive layer, wherein the first conductive layer is short-circuited to the second conductive layer, wherein the negative resistance element is connected to the first conductive layer and the third conductive layer, and wherein the second conductive layer and the third conductive layer are arranged opposite each other and are also capacitively coupled to each other to form a capacitance (C).
(FR)L'invention concerne un élément d'oscillation qui fait osciller une onde électromagnétique comprenant un élément à résistance négative et un résonateur comprenant un premier conducteur et un second conducteur, l'élément à résistance négative et le résonateur étant agencés sur un substrat, l'élément à résistance négative étant électriquement connecté au premier conducteur et au second conducteur, le premier conducteur et le second conducteur sont couplés de manière capacitive l'un à l'autre, et lorsqu'une capacité entre le premier conducteur et le second conducteur est définie comme C, une inductance du premier conducteur et du second conducteur est définie comme L1, une vitesse de l'onde électromagnétique oscillant dans le vide est définie comme C0, une constante diélectrique relative du substrat est définie comme εr, et une longueur de ligne diagonale du substrat est définie comme d, une fréquence résonante en série f1 du résonateur satisfait f1 = 1/{2π√(L1C)} et f1 < C0/[d√ {(1+ εr)/2}].
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)