WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015129810) CAPTEUR D'IMAGE CMOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/129810    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/055632
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 26.02.2015
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/00 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP)
Inventeurs : IKEDA, Keiji; (JP).
TEZUKA, Tsutomu; (JP)
Mandataire : KURATA, Masatoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-037374 27.02.2014 JP
Titre (EN) CMOS IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGE CMOS
(JA) CMOSイメージセンサ
Abrégé : front page image
(EN) This invention is provided with: a photoelectric conversion element (11) for converting incident light into an electric signal; and an amplifier transistor (21) having, as a channel region, a hetero junction in which a Ge layer and a SiGeSn layer are joined and amplifying an electric signal converted by the photoelectric conversion element (11).
(FR) La présente invention concerne: un élément de conversion photoélectrique (11) pour convertir la lumière incidente en un signal électrique; et un transistor amplificateur (21) ayant, en tant que région de canal, une hétérojonction dans laquelle une couche de Ge et une couche de SiGeSn sont liées et amplifiant un signal électrique converti par l'élément de conversion photoélectrique (11).
(JA) 入射光を電気信号に変換する光電変換素子(11)と、Ge層とSiGeSn層とが接合されたヘテロ接合をチャネル領域として有し、光電変換素子(11)にて変換された電気信号を増幅するアンプトランジスタ(21)とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)