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1. (WO2015129486) COMPOSITION POUR FORMER UN FILM DE RÉSERVE DE COUCHE SUPÉRIEURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN UTILISANT LADITE COMPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/129486    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/053969
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 13.02.2015
CIB :
G03F 7/11 (2006.01), C08F 220/06 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventeurs : FUJITANI, Noriaki; (JP).
SAKAMOTO, Rikimaru; (JP)
Mandataire : HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-035854 26.02.2014 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMING UPPER-LAYER RESIST FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAID COMPOSITION
(FR) COMPOSITION POUR FORMER UN FILM DE RÉSERVE DE COUCHE SUPÉRIEURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN UTILISANT LADITE COMPOSITION
(JA) レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a composition for forming a upper-layer resist film used in a lithography process during a step for manufacturing a semiconductor device, the composition not intermixing with the resist, and blocking exposure light, such as UV or DUV, that is undesirable particularly during EUV exposure, and selectively transmitting only EUV. The composition is capable of being developed using developing fluid after exposure. [Solution] A composition for forming an upper-layer resist film including the unit structure represented in formula (1) and formula (2) shown below, and including: a polymer (P) having a weight-average molecular weight of 500-2000 according to GPC; and, as a solvent, a C8-16 ether compound.
(FR)Le but de l'invention est de fournir une composition pour former un film de réserve de couche supérieure utilisé dans un processus de lithographie lors d'une étape de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, la composition n'étant pas mélangée avec la réserve, et bloquant une lumière d'exposition, telle que UV ou DUV, qui n'est pas souhaitable notamment lors d'une exposition EUV, et transmettant sélectivement uniquement l'EUV. La composition peut être développée à l'aide d'un fluide de développement après une exposition. L'invention porte sur une composition pour former un film de réserve de couche supérieure comprenant la structure d'unité représentée dans la formule (1) et la formule (2) montrées ci-dessous, et comprenant : un polymère (P) ayant un poids moléculaire moyen en poids de 500-2000 selon GPC ; et, en tant que solvant, un composé d'éther C8-16.
(JA)【課題】 レジストとインターミキシングすることなく、特にEUV露光に際して好ましくない露光光、例えばUVやDUVを遮断してEUVのみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能な、半導体装置の製造工程におけるリソグラフィープロセスに用いるレジスト上層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 下記式(1)及び式(2)で表される単位構造を含み、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ法により測定される重量平均分子量が500乃至2,000である重合体(P)と、溶剤として炭素原子数8乃至16のエーテル化合物とを含むレジスト上層膜形成組成物。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)