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1. (WO2015129466) NANOPARTICULES DE CUIVRE ET LEURS PROCÉDÉ DE PRODUCTION, DISPERSION FLUIDE DE NANOPARTICULES DE CUIVRE, NANO-ENCRE AU CUIVRE, PROCÉDÉ DE CONSERVATION DE NANOPARTICULES DE CUIVRE ET PROCÉDÉ DE FRITTAGE DE NANOPARTICULES DE CUIVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/129466    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/053833
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 12.02.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.08.2015    
CIB :
B22F 1/02 (2006.01), B22F 1/00 (2006.01), B22F 9/00 (2006.01), B82Y 30/00 (2011.01), B82Y 40/00 (2011.01), B22F 9/24 (2006.01)
Déposants : A SCHOOL CORPORATION KANSAI UNIVERSITY [JP/JP]; 3-35, Yamate-cho 3-chome, Suita-shi, Osaka 5648680 (JP)
Inventeurs : KAWASAKI, Hideya; (JP).
ARAKAWA, Ryuichi; (JP).
HOKITA, Yuki; (JP)
Mandataire : SAEGUSA & PARTNERS; Kitahama TNK Building, 1-7-1, Doshomachi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410045 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-037204 27.02.2014 JP
Titre (EN) COPPER NANOPARTICLES AND PRODUCTION METHOD FOR SAME, COPPER NANOPARTICLE FLUID DISPERSION, COPPER NANOINK, COPPER NANOPARTICLE PRESERVATION METHOD, AND COPPER NANOPARTICLE SINTERING METHOD
(FR) NANOPARTICULES DE CUIVRE ET LEURS PROCÉDÉ DE PRODUCTION, DISPERSION FLUIDE DE NANOPARTICULES DE CUIVRE, NANO-ENCRE AU CUIVRE, PROCÉDÉ DE CONSERVATION DE NANOPARTICULES DE CUIVRE ET PROCÉDÉ DE FRITTAGE DE NANOPARTICULES DE CUIVRE
(JA) 銅ナノ粒子及びその製造方法、銅ナノ粒子分散液、銅ナノインク、銅ナノ粒子の保存方法及び銅ナノ粒子の焼結方法
Abrégé : front page image
(EN) A principal purpose of the present invention is to provide copper nanoparticles with which oxidation of the copper is minimized; which, due to an average particle diameter of 10 nm or smaller, have a markedly lowered melting point, and moreover are highly dispersible and sinterable at low temperature; with which a protective layer can be eliminated during low-temperature sintering at 150°C or below; and which are suitable for use as a conductive copper nanoink material; as well as a copper nanoparticle preservation method by which copper nanoparticles can be stably preserved for extended periods at room temperature, and transported. The present invention provides copper nanoparticles formed of a center portion comprising a copper single crystal and a protective layer on the perimeter thereof, wherein the copper nanoparticles are characterized in that (1) the average particle diameter of the copper nanoparticles is 10 nm or less, (2) the protective layer includes at least one compound selected from C3-6 primary alcohols, C3-6 secondary alcohols, and derivatives thereof, and (3) the boiling point or thermal decomposition point of the protective layer is 150°C or lower.
(FR) La présente invention a pour principal objet des nanoparticules de cuivre avec lesquelles l'oxydation du cuivre est réduite au minimum ; qui, en raison d'un diamètre de particule moyen inférieur ou égal à 10 nm, ont un point de fusion nettement abaissé et de plus sont hautement dispersibles et frittables à basse température ; avec lesquelles une couche protectrice peut être éliminée pendant le frittage à basse température à 150 °C ou au-dessous ; et qui sont appropriées pour être utilisées en tant que matériau de nano-encre conductrice au cuivre ; ainsi qu'un procédé de conservation de nanoparticules de cuivre par lequel des nanoparticules de cuivre peuvent être conservées de manière stable pendant longtemps à température ambiante et transportées. Les nanoparticules de cuivre selon la présente invention sont constituées d'une partie centrale comprenant un monocristal de cuivre et d'une couche protectrice sur son périmètre, les nanoparticules de cuivre étant caractérisées en ce que (1) le diamètre moyen de particule des nanoparticules de cuivre est inférieur ou égal à 10 nm, (2) la couche protectrice comprend au moins un composé choisi parmi les alcools primaires en C3 à C6, les alcools secondaires en C3 -6 et leurs dérivés et (3) le point d'ébullition ou le point de décomposition thermique de la couche protectrice est inférieur ou égal à 150 °C.
(JA) 本発明は、銅の酸化が抑制されており、平均粒子径が10nm以下であるため融点降下が著しく、且つ分散性が高く、低温焼結可能であり、且つ保護層を150℃以下での低温焼結時に除去することができ、導電性銅ナノインク材料に好適に用いることができる銅ナノ粒子を提供し、また、銅ナノ粒子を室温で長期間安定に保存でき、輸送できる銅ナノ粒子の保存方法を提供することを主な課題とする。 本発明は、銅の単結晶からなる中心部と、その周囲の保護層とから形成された銅ナノ粒子であって、 (1)前記銅ナノ粒子の平均粒子径が10nm以下であり、  (2)前記保護層が、炭素数3~6の1級アルコール、炭素数3~6の2級アルコール及びそれらの誘導体から選択される少なくとも1種を含み、 (3)前記保護層の沸点又は熱分解温度が150℃以下である、 ことを特徴とする銅ナノ粒子である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)