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1. (WO2015129392) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, SUPPORT D'ENREGISTREMENT INFORMATIQUE ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/129392    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/052826
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 02.02.2015
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), B82Y 40/00 (2011.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : NISHI, Takanori; (JP).
TOMITA, Tadatoshi; (JP).
YOU, Gen; (JP).
MURAMATSU, Makoto; (JP).
KITANO, Takahiro; (JP)
Mandataire : KANEMOTO, Tetsuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-034658 25.02.2014 JP
Titre (EN) SUBSTRATE TREATMENT METHOD, COMPUTER STORAGE MEDIUM, AND SUBSTRATE TREATMENT SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, SUPPORT D'ENREGISTREMENT INFORMATIQUE ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
Abrégé : front page image
(EN)In this substrate treatment method, in which a substrate is treated using a block copolymer that contains a first polymer and a second polymer: the block copolymer is coated on a patterned substrate, and, subsequent to the coating of the block copolymer, the substrate is heat-treated at a temperature equal to or greater than the volatilization temperature of a solvent contained in the block copolymer, and the solvent is removed from the block copolymer; subsequent to solvent removal, the substrate is subjected to annealing treatment in an atmosphere of another solvent, which is different to the removed solvent, to phase separate the block copolymer into the first polymer and the second polymer, said annealing treatment being performed at a temperature that is lower than the volatilization temperature of the other solvent.
(FR)Dans ce procédé de traitement de substrat, au cours duquel un substrat est traité à l'aide d'un copolymère bloc qui contient un premier polymère et un second polymère : le copolymère bloc est appliqué sur un substrat à motifs et, après l'application du copolymère bloc, le substrat est traité thermiquement à une température égale ou supérieure à la température de volatilisation d'un solvant contenu dans le copolymère bloc, et le solvant est éliminé du copolymère bloc; après élimination du solvant, le substrat est soumis à un traitement de recuit dans une atmosphère d'un autre solvant, qui est différent du solvant éliminé, pour effectuer une séparation de phases du copolymère bloc en un premier polymère et en un second polymère, ledit traitement de recuit étant effectué à une température qui est inférieure à la température de volatilisation de l'autre solvant.
(JA) 第1のポリマーと第2のポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する基板処理方法は、パターンが形成された基板上にブロック共重合体を塗布し、ブロック共重合体塗布後の基板を、ブロック共重合体に含まれる溶剤の揮発温度以上で加熱処理して当該ブロック共重合体から溶剤を除去し、溶剤除去後の基板を、当該除去した溶剤とは異なる他の溶剤の雰囲気内でアニール処理して、ブロック共重合体を第1のポリマーと第2のポリマーに相分離させ、他の溶剤の揮発温度よりも低い温度で当該アニール処理が行われる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)