WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015129104) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM D'OXYDE MÉTALLIQUE, FILM D'OXYDE MÉTALLIQUE, TRANSISTOR À FILM MINCE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/129104    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/079770
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 10.11.2014
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/368 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : TAKATA, Masahiro; (JP)
Mandataire : NAKAJIMA, Jun; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-038995 28.02.2014 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING METAL-OXIDE FILM, METAL-OXIDE FILM, THIN-FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM D'OXYDE MÉTALLIQUE, FILM D'OXYDE MÉTALLIQUE, TRANSISTOR À FILM MINCE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、及び電子デバイス
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a method for manufacturing a metal-oxide film and an application therefor. Said method has a precursor-film formation step in which a solution containing a solvent and at least one metal component, namely iridium, is applied to a substrate to form a metal-oxide precursor film and a conversion step in which, with the metal-oxide precursor film heated, said metal-oxide precursor film is converted to a metal-oxide film by exposure to ultraviolet light in an atmosphere that has an oxygen concentration of no more than 80,000 ppm.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un film d'oxyde métallique et une application associée. Ledit procédé comporte une étape de formation de film précurseur dans laquelle une solution qui contient un solvant et au moins un composant métallique, à savoir de l'iridium, est appliquée sur un substrat pour former un film précurseur d'oxyde métallique, et une étape de conversion dans laquelle, conjointement avec le film précurseur d'oxyde métallique chauffé, ledit film précurseur d'oxyde métallique est converti en un film d'oxyde métallique par exposition à une lumière ultraviolette dans une atmosphère qui présente une concentration en oxygène inférieure ou égale à 80 000 ppm.
(JA) 本発明は、溶媒及び金属成分として少なくともインジウムを含む溶液を基板上に塗布して金属酸化物前駆体膜を形成する前駆体膜形成工程と、前記金属酸化物前駆体膜を加熱した状態で、酸素濃度が80000ppm以下の雰囲気下で紫外線照射を行うことにより前記金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化させる転化工程と、を有する金属酸化物膜の製造方法及びその応用を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)