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1. (WO2015128965) CIRCUIT SYMÉTRISEUR ACTIF ET TRANSFORMATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/128965    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/054692
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 26.02.2014
CIB :
H03H 11/32 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : TAKEUCHI, Ryosuke; (JP).
TSUTSUMI, Koji; (JP).
NAKAI, Takayuki; (JP).
TANIGUCHI, Eiji; (JP)
Mandataire : MIZOI, Shoji; MIZOI INTERNATIONAL PATENT FIRM, NTA Ofuna Building 3rd floor, 17-10, Ofuna 2-chome, Kamakura-shi, Kanagawa 2470056 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ACTIVE BALUN CIRCUIT AND TRANSFORMER
(FR) CIRCUIT SYMÉTRISEUR ACTIF ET TRANSFORMATEUR
(JA) アクティブバラン回路及びトランス
Abrégé : front page image
(EN)An active balun circuit (100) is provided with: a CG transistor (4), which has the source terminal thereof connected to an input terminal (1), and the gate terminal thereof grounded; a CS transistor (6), which has the gate terminal thereof connected to the input terminal (1), and the source terminal thereof grounded; an asymmetrical transformer (110) that is provided with a primary coil, which has an inductor (L1) connected to the CG transistor (4), and an inductor (L2) connected to the CS transistor (6), and a secondary coil, which has an inductor (L3) corresponding to the inductor (L1), and an inductor (L4) corresponding to the inductor (L2); an output terminal (2) that outputs a first signal generated in the inductor (L3); and an output terminal (3) that outputs a second signal generated in the inductor (L4).
(FR)L'invention porte sur un circuit symétriseur actif (100) qui comporte : un transistor CG (4), qui a la borne de source de ce dernier connectée à une borne d'entrée (1), et la borne de grille de ce dernier mise à la masse ; un transistor CS (6), qui a la borne de grille de ce dernier connectée à la borne d'entrée (1), et la borne de source de ce dernier mise à la masse ; un transformateur asymétrique (110) qui comporte une bobine primaire, qui a une inductance (L1) reliée au transistor CG (4), et une inductance (L2) reliée au transistor CS (6), et une bobine secondaire, qui a une inductance (L3) correspondant à l'inductance (L1), et une inductance (L4) correspondant à l'inductance (L2) ; une borne de sortie (2) qui délivre un premier signal généré dans l'inductance (L3) ; et une borne de sortie (3) qui délivre un second signal généré dans l'inductance (L4).
(JA) アクティブバラン回路(100)において、ソース端子が入力端子(1)に接続されるとともに、ゲート端子が接地されるCGトランジスタ(4)と、ゲート端子が入力端子(1)に接続されるとともに、ソース端子が接地されるCSトランジスタ(6)と、CGトランジスタ(4)に接続されるインダクタ(L1)とCSトランジスタ(6)に接続されるインダクタ(L2)とを有する1次コイルと、インダクタ(L1)に対応するインダクタ(L3)とインダクタ(L2)に対応するインダクタ(L4)とを有する2次コイルとを備える非対称トランス(110)と、インダクタ(L3)に発生する第1信号を出力する出力端子(2)と、インダクタ(L4)に発生する第2信号を出力する出力端子(3)とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)