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1. (WO2015128891) COPOLYMÈRES CONTENANT DES UNITÉS NAPHTODITHIOPHÈNE ET DES UNITÉS DICÉTOPYRROLOPYRROLE ET LEUR PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/128891    N° de la demande internationale :    PCT/IT2015/000050
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 24.02.2015
CIB :
H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/46 (2006.01)
Déposants : ENI S.p.A. [IT/IT]; Piazzale E. Mattei, 1 I-00144 Roma (IT)
Inventeurs : BIANCHI, Gabriele; (IT).
CALABRESE, Anna; (IT)
Mandataire : BOTTERO, Carlo; Barzano' & Zanardo Milano S.p.A Via Borgonuovo, 10 I-20121 Milano (IL)
Données relatives à la priorité :
MI2014A000317 28.02.2014 IT
Titre (EN) COPOLYMERS CONTAINING NAPHTHODITHIOPHENE UNITS AND DIKETOPYRROLOPYRROLE UNITS AND PROCESS FOR THEIR PREPARATION
(FR) COPOLYMÈRES CONTENANT DES UNITÉS NAPHTODITHIOPHÈNE ET DES UNITÉS DICÉTOPYRROLOPYRROLE ET LEUR PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Abrégé : front page image
(EN)Copolymer containing naphthodithiophene units and diketopyrrolopyrrole units having general formula (I): Said copolymer can be advantageously used in the construction of photovoltaic devices (or solar devices) such as, for example, photovoltaic cells (or solar cells), photovoltaic modules (or solar modules), on both rigid and flexible supports. Said copolymer can also be advantageously used in the construction of organic thin film transistors (OTFTs), or of organic field effect transistors (OFETs).
(FR)L'invention concerne un copolymère contenant des unités naphtodithiophène et des unités dicétopyrrolopyrrole ayant la formule générale (I) : Ledit copolymère peut être utilisé avantageusement dans la construction de dispositifs photovoltaïques (ou de dispositifs solaires) tels que, par exemple, des cellules photovoltaïques (ou des cellules solaires), des modules photovoltaïques (ou des modules solaires), à la fois sur des supports rigides et flexibles. En outre, ledit copolymère peut également être utilisé avantageusement dans la construction de transistors organiques à films minces (OTFT) ou de transistors organiques à effet de champ (OFET).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : italien (IT)