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1. (WO2015128870) PHOTORÉSISTANCE À LARGE BANDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/128870    N° de la demande internationale :    PCT/IL2015/050220
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 27.02.2015
CIB :
H01L 31/09 (2006.01), H01L 31/0304 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : YISSUM RESEARCH DEVELOPMENT COMPANY OF THE HEBREW UNIVERSITY OF JERUSALEM LTD. [IL/IL]; Hi-Tech Park, Edmond J Safra Campus, Givat Ram, P.O.Box 39135 91390 Jerusalem (IL)
Inventeurs : EISENBERG, Ido; (IL).
PALTIEL, Yosef; (IL).
YOCHELIS, Shira; (IL)
Mandataire : GASSNER, Dvir; S. Friedman & CO. Amot Investments Tower 2 Weizmann St., P.O. Box 33123 64239 Tel Aviv (IL)
Données relatives à la priorité :
61/945,307 27.02.2014 US
Titre (EN) BROADBAND PHOTORESISTOR
(FR) PHOTORÉSISTANCE À LARGE BANDE
Abrégé : front page image
(EN)A photoresistor comprising: a semiconductor substrate selected from Gallium- Nitride, Gallium-Arsenic, Gallium Phosphide, and Aluminum Gallium Nitride, or any combination thereof; a layer of organic molecules that is disposed on at least a portion of the surface of the semiconductor substrate; and two conductors in contact with the layer of organic molecules.
(FR)Une photorésistance comprend: un substrat semi-conducteur sélectionné parmi le gallium-nitrure, gallium-arsenic, phosphure de gallium, nitrure de gallium et d'aluminium, ou toute combinaison de ceux-ci; une couche de molécules organiques qui est disposée sur au moins une partie de la surface du substrat semi-conducteur; et deux conducteurs en contact avec la couche de molécules organiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)