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1. (WO2015128774) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF D'AFFICHAGE COMPRENANT LE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, MODULE D'AFFICHAGE COMPRENANT LE DISPOSITIF D'AFFICHAGE, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE COMPRENANT LE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, LE DISPOSITIF D'AFFICHAGE OU LE MODULE D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/128774    N° de la demande internationale :    PCT/IB2015/051147
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 17.02.2015
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
KOEZUKA, Junichi; .
JINTYOU, Masami; .
KUROSAKI, Daisuke;
Données relatives à la priorité :
2014-039139 28.02.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF D'AFFICHAGE COMPRENANT LE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, MODULE D'AFFICHAGE COMPRENANT LE DISPOSITIF D'AFFICHAGE, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE COMPRENANT LE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, LE DISPOSITIF D'AFFICHAGE OU LE MODULE D'AFFICHAGE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device including a transistor is provided. The transistor includes a gate electrode, a first insulating film over the gate electrode, a second insulating film over the first insulating film, an oxide semiconductor film over the second insulating film, a source electrode and a drain electrode electrically connected to the oxide semiconductor film, a third insulating film over the source electrode, and a fourth insulating film over the drain electrode. A fifth insulating film including oxygen is provided over the transistor. The third insulating film includes a first portion, the fourth insulating film includes a second portion, and the fifth insulating film includes a third portion. The amount of oxygen molecules released from each of the first portion and the second portion is smaller than the amount of oxygen molecules released from the third portion when the amounts are measured by thermal desorption spectroscopy.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un transistor. Le transistor comprend une électrode de grille, un premier film isolant sur l'électrode de grille, un deuxième film isolant sur le premier film isolant, un film d'oxyde semi-conducteur sur le deuxième film isolant, une électrode de source et une électrode de drain électriquement connectées au film d'oxyde semi-conducteur, un troisième film isolant sur l'électrode de source, et un quatrième film isolant sur l'électrode de drain. Un cinquième film isolant contenant de l'oxygène est placé sur le transistor. Le troisième film isolant comprend une première partie, le quatrième film isolant comprend une deuxième partie, et le cinquième film isolant comprend une troisième partie. La quantité de molécules d'oxygène libérées par chacune de la première partie et de la deuxième partie est inférieure à la quantité de molécules d'oxygène libérées par la troisième partie quand les quantités sont mesurées par spectroscopie de désorption thermique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)