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1. (WO2015128434) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/128434    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/054072
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 26.02.2015
CIB :
H01L 51/52 (2006.01)
Déposants : OSRAM OLED GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2 93049 Regensburg (DE)
Inventeurs : POPP, Michael; (DE).
BAISL, Richard; (DE).
KEFES, Christoph; (DE)
Mandataire : VIERING, JENTSCHURA & PARTNER; Grillparzerstr. 14 81675 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2014 102 565.2 27.02.2014 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (10) bereitgestellt. Das optoelektronische Bauelement (10) weist einen Träger (12) auf. Über dem Träger (12) ist eine erste Elektrode (20) ausgebildet. Über der ersten Elektrode (20) ist eine organisch funktionelle Schichtenstruktur (22) ausgebildet. Über der organisch funktionellen Schichtenstruktur (22) ist eine zweite Elektrode (23) ausgebildet. Über der zweiten Elektrode (23) ist eine Verkapselungs-Schichtstruktur (24) ausgebildet. Die Verkapselungs-Schichtstruktur (24) verkapselt die organisch funktionelle Schichtenstruktur (22). Die Verkapselungs-Schichtstruktur (24) weist eine der zweiten Elektrode (23) zugewandte erste Schichtstruktur (41) und eine von der zweiten Elektrode (23) abgewandte zweite Schichtstruktur (44) auf. Die erste Schichtstruktur (41) weist alternierend erste Schichten (40) mit einem ersten Ausdehnungskoeffizienten und zweite Schichten (42) mit einem zweiten Ausdehnungskoeffizienten auf. Der erste Ausdehnungskoeffizient ist ungleich dem zweiten Ausdehnungskoeffizienten. Die zweite Schichtstruktur (44) weist alternierend dritte Schichten mit einem dritten Ausdehnungskoeffizienten und vierte Schichten mit einem vierten Ausdehnungskoeffizienten auf. Der vierte Ausdehnungskoeffizient ist ungleich dem dritten Ausdehnungskoeffizienten.
(EN)The invention relates to an optoelectronic component (10) in various exemplary embodiments. The optoelectronic component (10) has a substrate (12). A first electrode (20) is formed above the substrate (12). An organically functional layer structure (22) is formed above the second electrode (20). A second electrode (23) is formed above the organically functional layer structure (22). An encapsulating layer structure (24) is formed above the second electrode (23). The encapsulating layer structure (24) encapsulates the organically functional layer structure (22). The encapsulating layer structure (24) has a first layer structure (41) facing the second electrode (23) and a layer structure (44) facing away from the second electrode (23). The first layer structure (41) has alternately first layers (40) having a first coefficient of expansion and second layers (42) having a second coefficient of expansion. The first coefficient of expansion is different from the second coefficient of expansion. The second layer structure (44) has alternately third layers having a third coefficient of expansion and fourth layers having a fourth coefficient of expansion. The fourth coefficient of expansion is different from the third coefficient of expansion.
(FR)Dans différents modes de réalisation donnés à titre d'exemple, l'invention concerne un composant optoélectronique (10). Ce composant optoélectronique (10) comprend un support (12). Une première électrode (20) est formée sur le support (12). Une structure fonctionnelle organique en couches (22) est formée sur la première électrode (20). Une seconde électrode (23) est formée sur la structure fonctionnelle organique en couches (22). Une structure d'encapsulation en couches (24) est formée sur la seconde électrode (23). La structure d'encapsulation en couches (24) encapsule la structure fonctionnelle organique en couches (22). La structure d'encapsulation en couches (24) comporte une première structure en couches (41) orientée vers la seconde électrode (23) et une seconde structure en couches (44) orientée à l'opposé de la seconde électrode (23). La première structure en couches (41) comporte en alternance des premières couches (40) présentant un premier coefficient de dilatation et des deuxièmes couches (42) présentant un deuxième coefficient de dilatation. Le premier coefficient de dilatation n'est pas égal au deuxième coefficient de dilatation La seconde structure en couches (44) comporte en alternance des troisièmes couches (40) présentant un troisième coefficient de dilatation et des quatrièmes couches présentant un quatrième coefficient de dilatation. Le quatrième coefficient de dilatation n'est pas égal au troisième coefficient de dilatation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)