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1. (WO2015128289) CIRCUIT AMPLIFICATEUR À FAIBLE BRUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/128289    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/053728
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 23.02.2015
CIB :
H03F 3/193 (2006.01), H03F 1/22 (2006.01), H03F 1/26 (2006.01)
Déposants : TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (PUBL) [SE/SE]; SE-164 83 Stockholm (SE)
Inventeurs : SIVONEN, Pete; (FI).
JUSSILA, Jarkko; (FI).
VILHONEN, Sami; (FI)
Mandataire : ÅKERMAN, Mårten; (SE)
Données relatives à la priorité :
14157220.6 28.02.2014 EP
Titre (EN) A LOW NOISE AMPLIFIER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT AMPLIFICATEUR À FAIBLE BRUIT
Abrégé : front page image
(EN)An amplifier (300) for converting a single-ended input signal to a differential output signal. The amplifier (300) comprises a first transistor (301), a second transistor (302), a third transistor (303) and a fourth transistor (304). The first transistor (301), configured in common-source or common-emitter mode, receives the single-ended input signal and generate a first part of the differential output signal. The second transistor (302), also configured in common-source or common-emitter mode, generates a second part of the differential output signal. The third and fourth transistor (303,304) are capacitively cross-coupled. The amplifier (300) further comprises inductive degeneration such that a source or emitter of the first transistor (301 ) is connected to a first inductor (321) and a source or emitter of the second transistor (302) is connected to a second inductor (322).
(FR)La présente invention concerne un amplificateur (300) permettant de convertir un signal d'entrée asymétrique en un signal de sortie différentiel. L'amplificateur (300) comprend un premier transistor (301), un deuxième transistor (302), un troisième transistor (303) et un quatrième transistor (304). Le premier transistor (301), configuré dans un mode de source commune ou d'émetteur commun, reçoit le signal d'entrée asymétrique et génère une première partie du signal de sortie différentiel. Le deuxième transistor (302), également configuré dans un mode de source commune ou d'émetteur commun, génère une seconde partie du signal de sortie différentiel. Le troisième et le quatrième transistor (303, 304) sont couplés de manière capacitive et transversale. L'amplificateur (300) comprend en outre une dégénération inductive de sorte qu'une source ou un émetteur du premier transistor (301) soient connectés à un premier inducteur (321) et qu'une source ou un émetteur du deuxième transistor (302) soient connectés à un second inducteur (322).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)