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1. (WO2015128254) DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS À SEMI-CONDUCTEURS AVEC COUCHE GETTER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/128254    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/053606
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 20.02.2015
CIB :
H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/02 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01), H01S 5/00 (2006.01), H01S 5/30 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Inventeurs : WEICHMANN, Ulrich; (NL).
KOLB, Johanna Sophie; (NL).
ENGELHARDT, Andreas Peter; (NL).
MÖENCH, Holger; (NL).
SCHEMMANN, Marcel Franz Christian; (NL)
Mandataire : COOPS, Peter; (NL)
Données relatives à la priorité :
14156494.8 25.02.2014 EP
Titre (EN) LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES WITH GETTER LAYER
(FR) DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS À SEMI-CONDUCTEURS AVEC COUCHE GETTER
Abrégé : front page image
(EN)The invention describes a light emitting semiconductor device (100) comprising a substrate (120), a light emitting layer structure (155) and an AlGaAs getter layer (190) for reducing an impurity in the light emitting layer structure (155), the light emitting layer structure (155) comprising an active layer (140) and layers of varying Aluminum content, wherein the growth conditions of the layers of the light emitting layer structure (155) comprising Aluminum are different in comparison to the growth conditions of the AlGaAs getter layer (190). The AlGaAs getter layer (190) enables a reduction of the concentration of impurities like Sulfur etc. in the gas phase of a deposition equipment or growth reactor. The reduction of such impurities reduces the probability of incorporation of the impurities in the light emitting layer structure (155) which may affect the lifetime of the light emitting semiconductor device (100). The growth conditions are chosen out of the group Arsenic partial pressure, Oxygen partial pressure, deposition temperature, total deposition pressure and deposition rate of Aluminum. The invention further relates to a corresponding method of manufacturing such a light emitting semiconductor device (100).
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs (100) qui comprend un substrat (120), une structure (155) de couche électroluminescente et une couche getter d'AlGaAs (190) afin de réduire une impureté dans la structure (155) de couche électroluminescente, la structure (155) de couche électroluminescente comprenant une couche active (140) et des couches de différentes teneurs en aluminium, les conditions de culture des couches de la structure (155) de couche électroluminescente comprenant de l'aluminium étant différentes en comparaison aux conditions de culture de la couche getter d'AlGaAs (190). La couche getter d'AlGaAs (190) permet de réduire la concentration d'impuretés, telles que du soufre, etc. dans la phase gazeuse d'un équipement de dépôt ou d'un réacteur de culture. La réduction de ces impuretés réduit la probabilité d'incorporer des impuretés dans la structure (155) de couche électroluminescente, qui pourrait affecter la durée de vie du dispositif électroluminescent à semi-conducteurs (100). Les conditions de culture sont choisies dans le groupe constitué de la pression partielle de l'arsenic, la pression partielle de l'oxygène, la température de dépôt, la pression totale de dépôt et le taux de dépôt de l'aluminium. L'invention concerne également un procédé correspondant de fabrication d'un tel dispositif électroluminescent à semi-conducteurs (100).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)