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1. (WO2015127673) COMPOSANT IGBT BIDIRECTIONNEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/127673    N° de la demande internationale :    PCT/CN2014/072757
Date de publication : 03.09.2015 Date de dépôt international : 28.02.2014
CIB :
H01L 29/739 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA [CN/CN]; No.2006 Xiyuan Ave, West Hi-Tech Zone Chengdu, Sichuan 611731 (CN).
INSTITUTE OF ELECTRONIC AND INFORMATION ENGINEERING IN DONGGUAN, UESTC [CN/CN]; No.17 Second Road, Headquarters, Dongguan Songshan Lake National High-tech Industrial Development, Dongguan, Guangdong 523808 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Jinping; (CN).
SHAN, Yadong; (CN).
XU, Gaochao; (CN).
YAO, Xin; (CN).
LIU, Jingxiu; (CN).
LI, Zehong; (CN).
REN, Min; (CN).
ZHANG, Bo; (CN)
Mandataire : CHENGDU HONGSHUN PATENT LAW OFFICE; Room 1001 Entrance 2, No.3 SanYou Road, ChengHua District Chengdu, Sichuan 610051 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) BI-DIRECTIONAL IGBT COMPONENT
(FR) COMPOSANT IGBT BIDIRECTIONNEL
(ZH) 一种双向IGBT器件
Abrégé : front page image
(EN)A bi-directional IGBT component, which relates to the technical field of power semiconductor components. The cellular structure of the bi-directional IGBT component comprises two MOS structures symmetrically arranged on the front side and the back side of a substrate drift region; a highly doped buried layer providing a carrier storage function or a electric field stop function is arranged between the substrate drift region and the MOS structure, and the substrate drift region adopts a longitudinal full-super junction or semi-super junction structure. The bi-directional IGBT structure has symmetrical positive and reverse characteristics and has a thinner drift region and better carrier concentration distribution and electric field distribution under the same component withstand voltage, so that the component obtains better positive turn-on characteristics and trade-off between the positive turn-on characteristics and turn-off loss characteristics.
(FR)La présente invention concerne un composant IGBT bidirectionnel, appartenant au domaine technique des composants semi-conducteurs de puissance. La structure cellulaire du composant IGBT bidirectionnel comprend deux structures MOS agencées de manière symétrique sur le côté avant et le côté arrière d'une région de dérive de substrat ; une couche enterrée fortement dopée, fournissant une fonction de stockage de porteuse ou une fonction d'arrêt de champ électrique, est agencée entre la région de dérive de substrat et la structure MOS ; et la région de dérive de substrat adopte une structure de superjonction totale ou de demi-superjonction. La structure IGBT bidirectionnelle présente des caractéristiques positives et inverses symétriques, une région de dérive plus fine et de meilleures répartition de la concentration en porteuses et répartition de champ électrique avec la même tension de tenue du composant, de sorte que le composant obtienne de meilleures caractéristiques d'activation positives et un compromis entre les caractéristiques d'activation positives et les caractéristiques de perte de désactivation.
(ZH)一种双向IGBT器件,属于功率半导体器件技术领域。其元胞结构包括两个对称设置于衬底漂移区正反两面的MOS结构;衬底漂移区与MOS结构之间具有提供载流子存储功能或电场截止功能的高掺杂埋层,且衬底漂移区采用纵向全超结或半超结结构。所述双向IGBT结构具有对称的正、反向特性,并在相同的器件耐压下具有更薄的漂移区厚度,更好的载流子浓度分布和电场分布,使器件获得了更好的正向导通特性以及正向导通特性与关断损耗特性的折中。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)