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1. (WO2015127363) DISPOSITIFS À CIRCUITS INTÉGRÉS INCLUANT DES CONTACTS ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/127363 N° de la demande internationale : PCT/US2015/017111
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 23.02.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants : SAMSUNG ELECTRONICS, CO., LTD.[KR/KR]; 129, Samsung-ro Yeongton-gu Suwon-si Gyeonggi-do 443-742, KR
Inventeurs : KITTL, Jorge A.; US
PALLE, Dharmendar Reddy; US
RODDER, Mark S.; US
Mandataire : MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.O. Box 37428 Raleigh, North Carolina 27627, US
Données relatives à la priorité :
61/942,81421.02.2014US
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT DEVICES INCLUDING CONTACTS AND METHODS OF FORMING THE SAME
(FR) DISPOSITIFS À CIRCUITS INTÉGRÉS INCLUANT DES CONTACTS ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
Abrégé :
(EN) Integrated circuit devices including contacts and methods of forming the same are provided. The devices may include a fin on a substrate, a gate structure on the fin and a source/drain region in the fin at a side of the gate structure. The devices may further include a contact plug covering an uppermost surface of the source/drain region and a sidewall of the gate structure. The contact plug may include an inner portion including a first material and an outer portion including a second material different from the first material. The outer portion may at least partially cover a sidewall of the inner portion, and a portion of the outer portion may be disposed between the sidewall of the gate structure and the sidewall of the inner portion.
(FR) L'invention concerne des dispositifs à circuits intégrés incluant des contacts et leurs procédés de formation. Les dispositifs peuvent inclure une ailette sur un substrat, une structure de grille sur l'ailette et une zone de source/drain dans l'ailette sur un côté de la structure de grille. Les dispositifs peuvent inclure en outre une fiche de contact recouvrant une surface la plus haute de la zone de source/drain et une paroi latérale de la structure de grille. La fiche de contact peut inclure une partie intérieure incluant un premier matériau et une partie extérieure incluant un second matériau différent du premier matériau. La partie extérieure peut recouvrir au moins partiellement une paroi latérale de la partie intérieure, et une partie de la partie extérieure peut être disposée entre la paroi latérale de la structure de grille et la paroi latérale de la partie intérieure.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)