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1. (WO2015127092) PRÉCURSEURS DE COBALT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/127092    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/016635
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 19.02.2015
CIB :
C01G 51/00 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : ENTEGRIS, INC. [US/US]; 129 Concord Road Billerica, MA 01821 (US)
Inventeurs : BAUM, Thomas, H.; (US).
BATTLE, Scott, L.; (US).
CLEARY, John, M.; (US).
PETERS, David, W.; (US).
CHEN, Philip, S. H.; (US)
Mandataire : HULTQUIST, Steven, J.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/103,068 13.01.2015 US
61/943,494 23.02.2014 US
Titre (EN) COBALT PRECURSORS
(FR) PRÉCURSEURS DE COBALT
Abrégé : front page image
(EN)Cobalt precursors are described, having application for vapor deposition of cobalt on substrates, such as in atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) processes for forming interconnects, capping structures, and bulk cobalt conductors, in the manufacture of integrated circuitry and thin film products.
(FR)L'invention concerne des précurseurs de cobalt, pouvant être utilisés pour le dépôt en phase vapeur de cobalt sur des substrats, par exemple dans des procédés de dépôt de couches atomiques (ALD) et de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour la formation d'interconnexions, de structures de recouvrement, et de conducteurs de cobalt en vrac, dans la fabrication de circuits intégrés et de produits à couches minces.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)