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1. (WO2015127017) FAISCEAU IONIQUE COMBINÉ ET APPAREIL DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/127017 N° de la demande internationale : PCT/US2015/016519
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 19.02.2015
CIB :
H01J 37/34 (2006.01) ,C23C 14/35 (2006.01) ,C23C 14/54 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
34
fonctionnant par pulvérisation cathodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
35
par application d'un champ magnétique, p.ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
54
Commande ou régulation du processus de revêtement
Déposants : GLOCKER, David, Appler[US/US]; US
ISOFLUX INCORPORATED[US/US]; 10 Vantage Point Drive Suite 4 Rochester, NY 14624, US
Inventeurs : GLOCKER, David, Appler; US
Mandataire : NICKERSON, Michael, J.; Basch & Nickerson LLP 1751 Penfield Road Penfield, NY 14526, US
Données relatives à la priorité :
61/942,26220.02.2014US
Titre (EN) COMBINED ION BEAM AND SPUTTERING APPARATUS
(FR) FAISCEAU IONIQUE COMBINÉ ET APPAREIL DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
Abrégé :
(EN) A sputtering apparatus includes an electrode having a material for sputtering; a reference electrode; an electron source; a power supply to alternately apply negative and positive voltage to the electrode with respect to the reference electrode; and a magnetic field generating system to generate magnetic fields. The magnetic field generating system confines electrons emitted from the electrode to permit sputtering of the material when the electrode is biased negatively with respect to the reference electrode. The magnetic field generating system forces electrons flowing from the electron source to the electrode to cross the generated magnetic fields when the electrode is biased positively with respect to the reference electrode.
(FR) L'invention concerne un appareil de pulvérisation cathodique comprenant une électrode contenant un matériau de pulvérisation cathodique ; une électrode de référence ; une source d'électrons ; une alimentation électrique pour appliquer alternativement à l'électrode une tension négative et une tension positive par rapport à l'électrode de référence ; et un système de génération de champs magnétiques pour générer des champs magnétiques. Le système de génération de champs magnétiques confine des électrons émis par l'électrode pour permettre la pulvérisation cathodique du matériau quand l'électrode est polarisée négativement par rapport à l'électrode de référence. Le système de génération de champs magnétiques force des électrons circulant de la source d'électrons à l'électrode à croiser les champs magnétiques générés quand l'électrode est polarisée positivement par rapport à l'électrode de référence.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)