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1. (WO2015126906) CELLULE DE MÉMOIRE RÉSISTIVE AYANT UNE ÉLECTRODE INFÉRIEURE INCLINÉE

Pub. No.:    WO/2015/126906    International Application No.:    PCT/US2015/016321
Publication Date: Fri Aug 28 01:59:59 CEST 2015 International Filing Date: Thu Feb 19 00:59:59 CET 2015
IPC: H01L 45/00
Applicants: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
Inventors: WALLS, James
FEST, Paul
Title: CELLULE DE MÉMOIRE RÉSISTIVE AYANT UNE ÉLECTRODE INFÉRIEURE INCLINÉE
Abstract:
L'invention concerne un procédé permettant de former une cellule de mémoire résistive, par exemple une cellule de mémoire CBRAM ou ReRAM, ledit procédé pouvant consister à former une pluralité de connexions d'électrode inférieure (302), à déposer une couche d'électrode inférieure (310) sur les connexions d'électrode inférieure, à réaliser une gravure pour enlever des parties de la couche d'électrode inférieure afin de former au moins une région d'électrode inférieure orientée vers le haut (340) au-dessus des connexions d'électrode inférieure, chaque région d'électrode inférieure orientée vers le haut définissant une pointe d'électrode inférieure, et à former une région d'électrolyte (350) et une électrode supérieure (352) au-dessus de chaque pointe d'électrode inférieure de manière que la région d'électrolyte est disposée entre l'électrode supérieure et la pointe d'électrode inférieure respective.