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1. (WO2015126870) CELLULE DE MEMOIRE RESISTIVE COMPORTANT UNE SURFACE DE CHEMINS CONDUCTEURS REDUITE

Pub. No.:    WO/2015/126870    International Application No.:    PCT/US2015/016259
Publication Date: Fri Aug 28 01:59:59 CEST 2015 International Filing Date: Thu Feb 19 00:59:59 CET 2015
IPC: H01L 45/00
H01L 27/24
Applicants: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
Inventors: FEST, Paul
WALLS, James
Title: CELLULE DE MEMOIRE RESISTIVE COMPORTANT UNE SURFACE DE CHEMINS CONDUCTEURS REDUITE
Abstract:
L'invention concerne un procédé de formation d'une cellule (140) de mémoire résistive, par exemple une mémoire CBRAM ou ReRAM, qui consiste à : former une couche d'électrode inférieure (102A), former une région d'oxyde (110) d'une zone mise à nu de l'électrode inférieure, éliminer une région de la couche d'électrode inférieure à proximité de la région d'oxyde afin de former une électrode inférieure comportant une extrémité pointue ou région de bord (114A, 114B), et former une première et une seconde région d'électrolyte (120A, 120B) et une première et une seconde électrode supérieure (122A, 122B) sur l'électrode inférieure, afin de délimiter un premier et un second élément de mémoire distincts. Le premier élément de mémoire délimite un premier chemin de chaîne de lacunes / filament conducteur, de la première partie de la région d'extrémité pointue de l'électrode inférieure à la première électrode supérieure, par l'intermédiaire de la première région d'électrolyte; et le deuxième élément de mémoire délimite un second chemin de chaîne de lacunes / filament conducteur, de la seconde partie de la région d'extrémité pointue de l'électrode inférieure à la seconde électrode supérieure par l'intermédiaire de la seconde région d'électrolyte.