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1. (WO2015126829) PROCÉDÉ POUR MODÉLISER UN SUBSTRAT POUR UNE PLANARISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/126829 N° de la demande internationale : PCT/US2015/016164
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 17.02.2015
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325, JP
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.[US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741, US (JP)
Inventeurs : DEVILLIERS, Anton J.; US
Mandataire : MATHER, Joshua D.; US
Données relatives à la priorité :
61/943,48323.02.2014US
61/943,48623.02.2014US
Titre (EN) METHOD FOR PATTERNING A SUBSTRATE FOR PLANARIZATION
(FR) PROCÉDÉ POUR MODÉLISER UN SUBSTRAT POUR UNE PLANARISATION
Abrégé :
(EN) Techniques disclosed herein include increasing pattern density for creating high-resolution contact openings, slots, trenches, and other features. A conformal spacer is applied on a bi-layer or tri-layer mandrel (multi-layer) or other relief feature. The conformal spacer thus wraps around the mandrels and is also deposited on an underlying layer. A fill material is deposited to fill gaps or spaces between sidewall spacers. A CMP planarization step then removes substrate stack material down to a material interface of the bi-layer or tri-layer mandrel, with a middle or lower material of the mandrel being a CMP-stop material. This technique essentially cuts off or removes rounded features such as upper portions of sidewall spacers, thereby providing a spacer material with a planar top surface that can be uniformly etched and transferred to underlying layers.
(FR) Des techniques décrites ici comprennent l'augmentation d'une densité de motifs pour créer des ouvertures de contact, des fentes, des tranchées, et d'autres fonctions à haute résolution. Un espaceur conforme est appliqué sur un mandrin à deux couches ou à trois couches (multicouche) ou une autre fonction en relief. L'espaceur conforme s'enroule ainsi autour des mandrins et est également déposé sur une couche sous-jacente. Un matériau de remplissage est déposé pour remplir des vides ou des espaces entre des espaceurs de parois latérales. Une étape de planarisation par polissage chimico-mécanique élimine ensuite un matériau d'empilement de substrats jusqu'à une interface de matériau du mandrin à deux couches ou à trois couches, un matériau milieu ou inférieur du mandrin étant un matériau d'arrêt de CMP. Cette technique élimine essentiellement ou retire des fonctions arrondies telles que des parties supérieures de séparateurs de parois latérales, ce qui permet d'obtenir un matériau d'espaceur avec une surface supérieure planaire qui peut être gravée de manière uniforme et transférée vers des couches sous-jacentes.
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)