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1. (WO2015126785) GRAVURE D'ÉLECTRODE SUPÉRIEURE DANS UN DISPOSITIF MAGNÉTORÉSISTIF ET DISPOSITIFS FABRIQUÉS À L'AIDE DE CETTE DERNIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/126785 N° de la demande internationale : PCT/US2015/016034
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 16.02.2015
CIB :
H01L 43/12 (2006.01)
Déposants : EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC.[US/US]; 1347 N. Alma School Road Suite 220 Chandler, AZ 85224, US
Inventeurs : DESHPANDE, Sarin, A.; US
AGGARWAL, Sanjeev; US
NAGEL, Kerry, Joseph; US
RIZZO, Nicholas; US
JANESKY, Jason, Allen; US
MUDIVARTHI, Chaitanya; US
Mandataire : MA, Jameson, Q.; US
Données relatives à la priorité :
14/296,18104.06.2014US
14/296,18904.06.2014US
14/492,76822.09.2014US
61/941,25018.02.2014US
Titre (EN) TOP ELECTRODE ETCH IN A MAGNETORESISTIVE DEVICE AND DEVICES MANUFACTURED USING SAME
(FR) GRAVURE D'ÉLECTRODE SUPÉRIEURE DANS UN DISPOSITIF MAGNÉTORÉSISTIF ET DISPOSITIFS FABRIQUÉS À L'AIDE DE CETTE DERNIÈRE
Abrégé :
(EN) A method of manufacturing a magnetoresistive -based device may include forming a patterned layer of photoresist over an electrically conductive layer, and etching a first portion of the electrically conductive layer not covered by the patterned layer of photoresist. Etching the first portion of the electrically conductive layer may have a first level of etching isotropy. The method also may include etching a second portion of the electrically conductive layer not covered by the patterned layer of photoresist. Etching the second portion of the electrically conductive layer may have a second level of etching isotropy that is different from the first level of etching isotropy.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif magnétorésistif, ledit procédé pouvant consister à former une couche structurée de résine photosensible sur une couche électroconductrice et à graver une première partie de la couche électroconductrice non recouverte par la couche structurée de résine photosensible. La gravure de la première partie de la couche électroconductrice peut présenter un premier niveau d'isotropie de gravure. Le procédé peut également consister à graver une seconde partie de la couche électroconductrice non recouverte par la couche structurée de résine photosensible. La gravure de la seconde partie de la couche électroconductrice peut présenter un second niveau d'isotropie de gravure qui est différent du premier niveau d'isotropie de gravure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)