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1. (WO2015126246) CORRECTION DE L'EFFET DE PROXIMITÉ DANS UN SYSTÈME DE LITHOGRAPHIE À PARTICULES CHARGÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/126246    N° de la demande internationale :    PCT/NL2015/050105
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 19.02.2015
CIB :
H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : MAPPER LITHOGRAPHY IP B.V. [NL/NL]; Computerlaan 15 NL-2628 XK Delft (NL)
Inventeurs : WIELAND, Marco Jan-Jaco; (NL)
Mandataire : VAN DE WAL, Barend Willem; (NL)
Données relatives à la priorité :
61/942,676 21.02.2014 US
Titre (EN) PROXIMITY EFFECT CORRECTION IN A CHARGED PARTICLE LITHOGRAPHY SYSTEM
(FR) CORRECTION DE L'EFFET DE PROXIMITÉ DANS UN SYSTÈME DE LITHOGRAPHIE À PARTICULES CHARGÉES
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for performing charged particle beam proximity effect correction, comprising the steps of: receiving a digital layout pattern to be patterned onto a target using one or more charged particle beams; selecting a base proximity function comprising a sum of an alpha and a beta proximity function, wherein said alpha proximity function models a short range proximity effect and said beta proximity function models a long range proximity effect, wherein a constant η is defined as a ratio between the beta proximity function and the alpha proximity function in said sum, with 0 < η <1; determining a modified proximity function which corresponds to said base proximity effect function wherein the alpha proximity function has been replaced by a Dirac delta function, and using an electronic processor, performing a deconvolution of the digital layout pattern with the modified proximity function to produce a corrected layout pattern.
(FR)L'invention porte sur un procédé permettant d'effectuer une correction de l'effet de proximité d'un faisceau de particules chargées, dont les étapes consistent : à recevoir un motif de disposition numérique à appliquer sur une cible au moyen d'un ou plusieurs faisceau(x) de particules chargées ; à sélectionner une fonction de proximité de base comprenant une somme de fonctions de proximité alpha et béta, ladite fonction de proximité alpha modélisant un effet de proximité à courte portée et la dite fonction de proximité béta modélisant un effet de proximité à longue portée, une constante η étant définie comme un ratio entre la fonction de proximité béta et la fonction de proximité alpha dans ladite somme, telle que 0 < η < 1 ; à déterminer une fonction de proximité modifiée qui correspond à ladite fonction d'effet de proximité de base, la fonction de proximité alpha ayant été remplacée par une fonction delta de Dirac, et au moyen d'un processeur électronique, à procéder à une déconvolution du motif de disposition numérique avec la fonction de proximité modifiée pour produire un motif de disposition corrigé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)