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1. (WO2015126021) CAPTEUR D'IMAGE POUR ACQUÉRIR DES INFORMATIONS D'IMAGE TRIDIMENSIONNELLE ET PROCÉDÉ POUR METTRE EN CORRESPONDANCE DES INFORMATIONS D'IMAGE BIDIMENSIONNELLE ET D'IMAGE TRIDIMENSIONNELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/126021    N° de la demande internationale :    PCT/KR2014/007607
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 18.08.2014
CIB :
H04N 5/369 (2011.01), H04N 13/02 (2006.01)
Déposants : KIM, Taemin [KR/KR]; (KR)
Inventeurs : KIM, Taemin; (KR)
Mandataire : STY PATENT LAW FIRM; 209, 350-27 Gumi-daero Gumi-si Gyeongsangbuk-do 730-916 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2014-0018529 18.02.2014 KR
Titre (EN) IMAGE SENSOR FOR ACQUIRING THREE-DIMENSIONAL IMAGE INFORMATION AND METHOD FOR MATCHING TWO-DIMENSIONAL IMAGE AND THREE-DIMENSIONAL IMAGE INFORMATION
(FR) CAPTEUR D'IMAGE POUR ACQUÉRIR DES INFORMATIONS D'IMAGE TRIDIMENSIONNELLE ET PROCÉDÉ POUR METTRE EN CORRESPONDANCE DES INFORMATIONS D'IMAGE BIDIMENSIONNELLE ET D'IMAGE TRIDIMENSIONNELLE
(KO) 3차원 영상 정보를 얻기 위한 이미지센서 및 2차원 영상과 3차원 영상 정보의 정합 방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention comprises: a photodiode which accumulates electrons when light is received; a gate transistor which determines transfer of the electrons accumulated in the photodiode; an accumulation transistor which includes a parasitic capacitor in which electrons transferred through the gate transistor are accumulated, and transfers a voltage level according to the amount of the accumulated electrons; and a control unit which controls the gate transistor to be operated several times with respect to a certain phase of an optical signal such that electrons are accumulated in the parasitic capacitor.
(FR)La présente invention comprend : une photodiode qui accumule des électrons lorsqu'une lumière est reçue ; un transistor de grille qui détermine le transfert des électrons accumulés dans la photodiode ; un transistor d'accumulation qui comprend un condensateur parasite dans lequel les électrons transférés par l'intermédiaire du transistor de grille sont accumulés, et transfère un niveau de tension en fonction de la quantité des électrons accumulés ; et une unité de commande qui commande le transistor de grille à actionner plusieurs fois par rapport à une certaine phase d'un signal optique de telle sorte que des électrons sont accumulés dans le condensateur parasite.
(KO)빛이 수신되면 전자를 축적하는 포토다이오드와, 상기 포토다이오드에 축적된 전자의 이송을 결정하는 게이트 트랜지스터와, 기생 커패시터가 포함되어 상기 게이트 트랜지스터를 통해 이송된 전자가 누적되며 상기 누적된 전자량에 따른 전압 레벨을 전달하는 누적 트랜지스터와, 상기 게이트 트랜지스터가 광신호의 일정 위상을 기준으로 복수 번 작동되어 상기 기생 커패시터에 전자가 누적되도록 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)