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1. (WO2015125998) BOÎTIER À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/125998 N° de la demande internationale : PCT/KR2014/002812
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 02.04.2014
CIB :
H01L 23/28 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
Déposants : DONGBU HITEK CO., LTD.[KR/KR]; (Daechi-dong) 432, Teheran-ro Gangnam-gu Seoul 135-523, KR
Inventeurs : KIM, Jun Il; KR
KIM, Sung Jin; KR
KIM, Hag Mo; KR
Mandataire : LEE, Dong Gun; (4F 402, Wonil Building, Nonhyun-dong) 7, Nonhyun-ro 120-gil Gangnam-gu Seoul 135-829, KR
Données relatives à la priorité :
10-2014-002124124.02.2014KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) BOÎTIER À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
Abrégé :
(EN) A semiconductor package, according to the present embodiment, comprises: a base substrate; a plurality of electrode patterns formed on top of the base substrate; conductive pads which are electrically connected to the electrode patterns; a semiconductor element which is electrically connected to the electrode patterns through the conductive pads and is installed on top of the electrode patterns; and a first protective layer, which is formed on top of the electrode patterns, for sealing the conductive pads and the semiconductor element, wherein the first protective layer comprises sidefill formed on side surface portions of the semiconductor element, and underfill formed on the bottom side of the semiconductor element.
(FR) La présente invention concerne un boîtier à semi-conducteur qui, selon le présent mode de réalisation, comprend : un substrat de base ; une pluralité de motifs d'électrode formés par-dessus le substrat de base ; des pastilles conductrices qui sont électriquement connectées aux motifs d'électrode ; un élément à semi-conducteur qui est connecté électriquement aux motifs d'électrode par l'intermédiaire des pastilles conductrices et est installé par-dessus les motifs d'électrode ; et une première couche de protection, qui est formée par-dessus les motifs d'électrode, pour sceller les pastilles conductrices et l'élément à semi-conducteur, la première couche de protection comprenant un remplissage latéral formé sur des parties de surface latérale de l'élément à semi-conducteur, et un remplissage inférieur formé sur le côté inférieur de l'élément à semi-conducteur.
(KO) 본 실시예의 반도체 패키지는, 베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 형성되는 복수의 전극 패턴들과, 상기 전극 패턴들과 전기적으로 연결되는 전도성 패드들과, 상기 전도성 패드들을 통하여 상기 전극 패턴들과 전기적으로 연결되고, 상기 전극 패턴들 상에 장착되는 반도체 소자와, 상기 전도성 패드들 및 반도체 소자를 밀폐시키고, 상기 전극 패턴들 상에 형성되는 제 1 보호층을 포함하고, 상기 제 1 보호층은 상기 반도체 소자의 측면부에 형성되는 사이드 필과, 상기 반도체 소자의 하측에 형성되는 언더 필을 포함한다.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)