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1. (WO2015125588) MATÉRIAU CIBLE ITO POUR PULVÉRISATION CATHODIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/125588    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/052688
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 30.01.2015
CIB :
C04B 35/00 (2006.01), C04B 35/64 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP/JP]; 1-11-1, Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584 (JP)
Inventeurs : TERAMURA, Kyosuke; (JP).
TAKEUCHI, Tomoya; (JP)
Mandataire : SSINPAT PATENT FIRM; Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-028543 18.02.2014 JP
Titre (EN) ITO SPUTTERING TARGET MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) MATÉRIAU CIBLE ITO POUR PULVÉRISATION CATHODIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) ITOスパッタリングターゲット材およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides: an ITO sintered body which has an Sn content of 2.5-10.0% by mass in terms of SnO2, while comprising an In2O3 matrix and an In4Sn3O12 phase that is present at the grain boundary of the In2O3 matrix, and which has a relative density of 98.0% or more, an average grain size of the In2O3 matrix of 17 μm or less, and an area ratio of the In4Sn3O12 phase in a cross-section of the ITO sintered body of 0.4% or more; and an ITO sputtering target material which is formed of this ITO sintered body. An ITO sintered body according to the present invention is not susceptible to the occurrence of cracks or deformation during a processing step. An ITO sputtering target material according to the present invention is not susceptible to the occurrence of cracks or deformation during a step for bonding to a base. Consequently, the ITO sintered body and the ITO sputtering target material according to the present invention are able to improve production yield.
(FR)Cette invention concerne : un corps fritté ITO ayant une teneur en Sn de 2,5 à 10,0 % en poids en termes de SnO2, tout en comprenant une matrice In2O3 et une phase In4Sn3O12 qui est présente au joint de grain de la matrice In2O3, ledit corps fritté ayant une densité relative de 98,0 % ou plus, une taille de grain moyenne de matrice In2O3 de 17 µm ou moins, et un rapport de surface de phase In4Sn3O12 dans une coupe transversale du corps fritté ITO de 0,4 % ou plus ; et un matériau de cible ITO pour pulvérisation cathodique constitué dudit corps fritté ITO. Un corps fritté ITO selon l'invention n'est pas sujet à l'apparition de fissures ou à la déformation au cours d'une étape de traitement. Un matériau cible ITO pour pulvérisation cathodique selon l'invention n'est pas sujet à l'apparition de fissures ou à la déformation au cours d'une étape de liaison à une base. Par conséquent, le corps fritté ITO et le matériau de cible ITO pour pulvérisation cathodique selon l'invention sont capables d'améliorer le rendement de production.
(JA) 本発明は、Snの含有量がSnO2量換算で2.5~10.0質量%であり、In23母相と該In23母相の粒界に存在するIn4Sn312相とを有するITO焼結体であって、相対密度が98.0%以上であり、前記In23母相の平均粒径が17μm以下であり、該ITO焼結体の断面における前記In4Sn312相の面積率が0.4%以上であるITO焼結体、および該ITO焼結体からなるITOスパッタリングターゲット材である。本発明のITO焼結体は、加工工程において割れや変形などが発生しにくい。本発明のITOスパッタリングターゲット材は、基材への接合工程において割れや変形などが発生しにくい。このため、本発明のITO焼結体およびITOスパッタリングターゲット材は、製造歩留を向上させることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)