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1. (WO2015125530) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU AU RAYONNEMENT ACTIF, FILM DE RÉSERVE, ÉBAUCHE DE MASQUE REVÊTU DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE ET PHOTOMASQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/125530    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/051293
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 20.01.2015
CIB :
G03F 7/039 (2006.01), C08F 212/14 (2006.01), C08F 220/30 (2006.01), C08L 101/06 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : TSUCHIMURA Tomotaka; (JP)
Mandataire : ODAHARA Shuichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-031433 21.02.2014 JP
Titre (EN) ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, RESIST-COATED MASK BLANK, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND PHOTOMASK
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU AU RAYONNEMENT ACTIF, FILM DE RÉSERVE, ÉBAUCHE DE MASQUE REVÊTU DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE ET PHOTOMASQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク
Abrégé : front page image
(EN)This active light sensitive or radiation sensitive resin composition contains (A) a polymer compound having a structure wherein a hydrogen atom of a phenolic hydroxyl group is substituted by a group represented by specific general formula (I), and (B) a compound that generates an acid when irradiated with active light or radiation.
(FR)La présente invention concerne une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement actif et contient (A) un composé polymère qui présente une structure dans laquelle un atome d'hydrogène d'un groupe hydroxyle phénolique est substitué par un groupe représenté par la formule générale spécifique (I), et (B) un composé qui génère un acide lorsqu'il est irradié avec une lumière active ou un rayonnement actif.
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、(A)特定の一般式(I)で表される基により、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を有する高分子化合物、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)