WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2015125385) APPAREIL DE PRÉHENSION DE DÉ SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRÉHENSION DE DÉ SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/125385    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/082965
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 12.12.2014
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.04.2015    
CIB :
H01L 21/67 (2006.01), H01L 21/52 (2006.01)
Déposants : SHINKAWA LTD. [JP/JP]; 2-51-1, Inadaira, Musashimurayama-shi, Tokyo 2088585 (JP)
Inventeurs : NAGANO, Kazuaki; (JP).
KATAYAMA, Yoshifumi; (JP).
TOYODA, Hiroki; (JP).
ISHIZUKA, Takeshi; (JP).
FUKUMOTO, Shinsuke; (JP)
Mandataire : YKI PATENT ATTORNEYS; 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-033351 24.02.2014 JP
2014-225729 06.11.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DIE PICKUP APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DIE PICKUP METHOD
(FR) APPAREIL DE PRÉHENSION DE DÉ SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRÉHENSION DE DÉ SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is provided with: a stage (20) including a suction surface (22) for sucking a dicing sheet (12); a suction opening (40) that is provided in the suction surface (22) of the stage (20); a cover (23) that opens/closes the suction opening (40) by sliding along the suction surface (22); and an opening pressure switching mechanism (80) that switches pressure of the suction opening (40) between a first pressure (P1) that is close to vacuum, and second pressure (P2) close to atmosphere. At the time of picking up a semiconductor die (15), each time the pressure of the suction opening (40) is switched to the second pressure (P2) from the first pressure (P1), the cover (23) is slid a predetermined distance in the opening direction. Consequently, generation of breakage of the semiconductor die is suppressed, and the semiconductor die is effectively picked up.
(FR)La présente invention est pourvue : d'un étage (20) comprenant une surface d'aspiration (22) destinée à aspirer une feuille de découpage en dés (12); d'une ouverture d'aspiration (40) qui est ménagée dans la surface d'aspiration (22) de l'étage (20); d'un couvercle (23) qui ouvre/ferme l'ouverture d'aspiration (40) par coulissement le long de la surface d'aspiration (22); et d'un mécanisme de commutation (80) de pression d'ouverture qui fait passer la pression de l'ouverture d'aspiration (40) entre une première pression (P1) qui est proche du vide et une seconde pression (P2) proche de l'atmosphère. Au moment de la saisie d'un dé semi-conducteur (15), à chaque fois que la pression de l'ouverture d'aspiration (40) est amenée à passer à la seconde pression (P2) à partir de la première pression (P1), le couvercle (23) est amené à coulisser sur une distance prédéterminée dans la direction d'ouverture. Par conséquent, la génération d'une rupture du dé semi-conducteur est supprimée, et le dé semi-conducteur semi-conducteur est efficacement saisi.
(JA) ダイシングシート(12)を吸着する吸着面(22)を含むステージ(20)と、ステージ(20)の吸着面(22)に設けられた吸引開口(40)と、吸着面(22)に沿ってスライドして吸引開口(40)を開閉する蓋(23)と、吸引開口(40)の圧力を真空に近い第1圧力P1と大気圧に近い第2圧力P2との間で切換える開口圧力切換機構(80)とを備え、半導体ダイ(15)をピックアップする際に、吸引開口(40)の圧力を第1圧力P1から第2圧力P2に切換える毎に蓋(23)を所定の距離だけ開方向にスライドさせる。これにより、半導体ダイの損傷の発生を抑制して効果的に半導体ダイをピックアップする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)