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1. (WO2015125366) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ET TRANCHE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/125366    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/080632
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 19.11.2014
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B24B 27/06 (2006.01), B28D 5/04 (2006.01)
Déposants : SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP)
Inventeurs : KAMINO Kiyoharu; (JP).
NAKASHIMA Akira; (JP).
MATAGAWA Satoshi; (JP)
Mandataire : KINOSHITA & ASSOCIATES; 3rd floor, Ogikubo TM building, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051 (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-030719 20.02.2014 JP
Titre (EN) SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD AND SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ET TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
Abrégé : front page image
(EN)A silicon wafer manufacturing method comprising: a wire traveling step for rotating a plurality of main rollers around which a corrugated wire (7) is helically wound to cause the corrugated wire (7) to travel in a direction approximately orthogonal to the axial direction of the main rollers; and a cutting step for cutting an ingot (T) by pressing the ingot (T) against the corrugated wire (7) to manufacture a plurality of silicon wafers warped into a dome shape with the central part thereof recessed in one direction with respect to the outer edge thereof.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication de tranche de silicium comprenant : une étape de déplacement de fil pour faire tourner une pluralité de rouleaux principaux autour desquels un fil ondulé (7) est enroulé de manière hélicoïdale pour amener le fil ondulé (7) à se déplacer dans une direction approximativement orthogonale à la direction axiale des rouleaux principaux ; et une étape de découpe pour découper un lingot (T) en pressant le lingot (T) contre le fil ondulé (7) pour fabriquer une pluralité de tranches de silicium déformées dans une forme de dôme avec la partie centrale de celle-ci renfoncée dans une direction par rapport au bord extérieur de cette dernière.
(JA) 波状ワイヤ(7)が螺旋状に巻き付けられた複数のメインローラを回転させることで、波状ワイヤ(7)をメインローラの軸方向と略直交する方向に走行させるワイヤ走行工程と、波状ワイヤ(7)にインゴット(T)を押し当てることでインゴット(T)を切断し、外縁部に対して中央部が一方向に凹むドーム状に反った複数のシリコンウェーハを製造する切断工程とを行う。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)