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1. (WO2015125042) OXYDE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, MODULE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/125042    N° de la demande internationale :    PCT/IB2015/050946
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 09.02.2015
CIB :
C23C 14/08 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), C01G 15/00 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-029542 19.02.2014 JP
Titre (EN) OXIDE, SEMICONDUCTOR DEVICE, MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) OXYDE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, MODULE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)To provide a crystalline oxide semiconductor which can be used as a semiconductor of a transistor or the like. The crystalline oxide semiconductor is an oxide over a surface and includes a plurality of flat-plate-like In-Ga-Zn oxides. Each of the plurality of flat-plate-like In-Ga-Zn oxides has a crystal structure and includes a first layer, a second layer, and a third layer. The first layer includes a gallium atom, a zinc atom, and an oxygen atom. The second layer includes an indium atom and an oxygen atom. The third layer includes a gallium atom, a zinc atom, and an oxygen atom. A flat plane of each of the plurality of flat-plate-like In-Ga-Zn oxides is substantially perpendicular to a normal vector of the surface.
(FR)L'invention concerne un semi-conducteur à oxyde cristallin qui peut être utilisé comme semi-conducteur d'un transistor ou analogue. Le semi-conducteur à oxyde cristallin est un oxyde sur une surface et comprend une pluralité d'oxydes d'In-Ga-Zn en plaque plane. Chacun des oxydes de la pluralité d'oxydes d'In-Ga-Zn en plaque plane présente une structure cristalline et comprend une première couche, une deuxième couche et une troisième couche. La première couche comprend un atome de gallium, un atome de zinc et un atome d'oxygène. La deuxième couche comprend un atome d'indium et un atome d'oxygène. La troisième couche comprend un atome de gallium, un atome de zinc et un atome d'oxygène. Un plan plat de chacun des oxydes de la pluralité d'oxydes d'In-Ga-Zn en plaque plane est sensiblement perpendiculaire à un vecteur normal de la surface.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)