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1. (WO2015124495) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE COMPOSÉ NITRURE

Pub. No.:    WO/2015/124495    International Application No.:    PCT/EP2015/053004
Publication Date: Fri Aug 28 01:59:59 CEST 2015 International Filing Date: Fri Feb 13 00:59:59 CET 2015
IPC: C30B 29/38
H01L 21/02
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: OFF, Jürgen
PETER, Matthias
LEHNHARDT, Thomas
BERGBAUER, Werner
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE COMPOSÉ NITRURE
Abstract:
L'invention concerne un procédé de production d'une couche de semi-conducteur à base de composé nitrure, comprenant les étapes consistant à : - déposer sur un substrat (10) une première couche de germe (1) comprenant un matériau semi-conducteur à base de composé nitrure, - désorber moins partiellement du substrat (10) le matériau semi-conducteur à base de composé nitrure de la première couche de germe, - déposer une seconde couche de germe (2) comprenant un matériau semi-conducteur à base du composé nitrure, et - permettre la croissance, sur la seconde couche de germe (2), de la couche de semi-conducteur à base de composé nitrure (3) comprenant un matériau semi-conducteur à base de composé nitrure.