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1. (WO2015124464) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/124464    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/052761
Date de publication : 27.08.2015 Date de dépôt international : 10.02.2015
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : HERRMANN, Siegfried; (DE).
VON MALM, Norwin; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2014 102 292.0 21.02.2014 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
(EN) METHOD FOR MANUFACTUIRNG AN OPTO-ELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) angegeben, umfassend ein Bereitstellen eines Trägers (1) mit zumindest einer Montagefläche (11), ein Erzeugen von zumindest zwei Durchkontaktierungen (4) in dem Träger (1) mit in den Durchkontaktierungen (4) verlaufenden elektrisch leitenden Kontakten (12, 13), ein Bereitstellen zumindest eines Licht emittierenden Halbleiterchips (2), wobei der Halbleiterchip (2) ein Aufwachssubstrat (10) und eine darauf epitaktisch gewachsene Schichtenfolge (7) umfasst, ein Montieren des zumindest einen Halbleiterchips (2) auf die zumindest eine Montagefläche (11) des Trägers (1), wobei der Halbleiterchip (2) beim Montieren auf die Montagefläche (11) im selben Verfahrensschritt elektrisch leitend mit den Kontakten (12, 13) verbunden wird, ein Vereinzeln des Trägers (1) entlang von Vereinzelungslinien (V), wobei eine Vereinzelungslinie (V) durch zumindest eine der Durchkontaktierungen (4) verläuft, so dass nach dem Vereinzeln die Kontakte (12, 13) Kontaktflächen (5) an zumindest einer Seitenfläche (la) des Trägers (1) bilden, wobei die Seitenfläche (la) senkrecht zur Montagefläche (11) des Trägers (1) ist, und eine Montage des Trägers (1) mit den Kontaktflächen (5) auf einer Anschlussplatte (8), wobei die Montagefläche (11) senkrecht zu der Anschlussplatte (8) steht.
(EN)A method for manufacturing an opto-electronic component (100) is given, comprising a provision of a carrier (1) with at least one mounting surface (11), a generation of at least two vias (4) in the carrier (1) with electrically conducting contacts (12, 13) running through the vias (4), a provision of at least one light-emitting semiconductor chip (2), wherein the semiconductor chip (2) comprises a growth substrate (10) and a layer sequence (7) epitaxially grown thereon, a mounting of the at least one semiconductor chip (2) onto the at least one mounting surface (11) of the carrier (1), wherein the semiconductor chip (2) is connected in an electrically conducting manner to the contacts (12, 13) in the same method step during the mounting onto the mounting surface (11), an isolation of the carrier (1) along isolation lines (V), wherein an isolation line (V) runs through at least one of the vias (4), so that, after the isolation, the contacts (12, 13) form contact surfaces (5) at at least one side surface (la) of the carrier (1), wherein the side surface (la) is perpendicular to the mounting surface (11) of the carrier (1), and a mounting of the carrier (1) with the contact surfaces (5) on a connection plate (8), wherein the mounting surface (11) is perpendicular to the connection plate (8).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique (100), comprenant les étapes suivantes : préparation d'un support (1) possédant au moins une surface de montage (11) ; réalisation dans le support (1) d'au moins deux trous métallisés (4) avec des contacts électriquement conducteurs (12, 13) qui s'étendent dans les trous métallisés (4) ; préparation d'au moins une puce de semi-conducteur (2) émettant de la lumière, ladite puce de semi-conducteur (2) comprenant un substrat d'épitaxie (10) sur lequel une succession de couches (7) est formée par épitaxie ; montage de la ou des puces de semi-conducteur (2) sur la ou les surfaces de montage (11) du support (1), la puce de semi-conducteur (2), lors du montage sur la surface de montage (11), étant reliée de manière électriquement conductrice aux contacts (12, 13) au cours de la même étape du procédé ; découpe du support (1) le long de traits de découpe (V), un trait de découpe (V) passant par l'un au moins des trous métallisés (4) de telle façon que, après la découpe, les contacts (12, 13) forment des surfaces de contact (5) sur au moins une face latérale (1a) du support (1), la face latérale (1a) étant perpendiculaire à la surface de montage (11) du support (1) ; et montage du support (1) doté des surfaces de contact (5) sur une platine de connexion (8), la surface de montage (11) étant perpendiculaire à ladite platine de connexion (8).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)