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1. (WO2015123222) DÉTECTION D'ENCOCHE DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/123222 N° de la demande internationale : PCT/US2015/015270
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 10.02.2015
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants : KLA-TENCOR CORPORATION[US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventeurs : EFRATY, Boris; US
BISHARA, Nassim; US
SIMKIN, Arkadi; IL
ISH-SHALOM, Yaron; IL
Mandataire : MCANDREWS, Kevin; US
Données relatives à la priorité :
61/939,13112.02.2014US
Titre (EN) WAFER NOTCH DETECTION
(FR) DÉTECTION D'ENCOCHE DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) Notch detection methods and modules are provided for efficiently estimating a position of a wafer notch. Capturing an image of specified region(s) of the wafer, a principle angle is identified in a transformation, converted into polar coordinates, of the captured image. Then the wafer axes are recovered from the identified principle angle as the dominant orientations of geometric primitives in the captured region. The captured region may be selected to include the center of the wafer and/or certain patterns that enhance the identification and recovering of the axes. Multiple images and/or regions may be used to optimize image quality and detection efficiency.
(FR) L'invention porte sur des procédés et des modules de détection d'encoche pour estimer de manière efficace un emplacement d'une encoche de tranche de semi-conducteur. Par capture d'une image de région(s) spécifiée(s) de la tranche de semi-conducteur, un angle principal est identifié dans une transformation, convertie en coordonnées polaires, de l'image capturée. Ensuite les axes de tranche de semi-conducteur sont récupérés à partir de l'angle principal identifié en tant qu'orientations dominantes de primitives géométriques dans la région capturée. La région capturée peut être sélectionnée pour comprendre le centre de la tranche de semi-conducteur et/ou certains motifs qui améliorent l'identification et la récupération des axes. De multiples images et/ou régions peuvent être utilisées pour optimiser la qualité d'image et l'efficacité de détection.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)