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1. (WO2015123200) MASQUES DE DÉPLACEMENT COMPLÉMENTAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/123200    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/015204
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 10.02.2015
CIB :
H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, Massachusetts 01930 (US)
Inventeurs : BATEMAN, Nicholas PT; (US).
RIORDAN, Benjamin; (US).
WEAVER, William T.; (US)
Mandataire : FRAME, Robert; NIELDS, LEMACK & FRAME, LLC 176 E. Main Street Suite 5 Westboro, Massachusetts 01581 (US)
Données relatives à la priorité :
61/938,904 12.02.2014 US
14/616,907 09.02.2015 US
Titre (EN) COMPLEMENTARY TRAVELING MASKS
(FR) MASQUES DE DÉPLACEMENT COMPLÉMENTAIRES
Abrégé : front page image
(EN)A method of processing a solar cell is disclosed, where a chained patterned ion implant is performed to create a workpiece having a lightly doped surface having more heavily doped regions. This configuration may be used in various embodiments, such as for selective emitter solar cells. Additionally, various mask sets that can be used to create this desired pattern are also disclosed. The mask set may include one or more masks that have an open portion and a patterned portion, where the union of the open portions of the masks comprises the entirety of the surface to be implanted. The patterned portions of the masks combine to create the desired pattern of heavily doped regions.
(FR)L'invention porte sur un procédé de traitement d'une cellule solaire, où un implant ionique à motifs chaînés est réalisé pour créer une pièce à usiner ayant une surface légèrement dopée ayant plus de régions fortement dopées. Cette configuration peut être utilisée dans divers modes de réalisation, tels que pour des cellules solaires à émetteur sélectif. En outre, divers ensembles masques qui peuvent être utilisés pour créer ce motif souhaité sont également décrits. L'ensemble masque peut comprendre un ou plusieurs masques qui ont une partie ouverte et une partie à motifs, où l'union des parties ouvertes des masques comprend la totalité de la surface à implanter. Les parties à motifs des masques se combinent pour créer le motif souhaité de régions fortement dopées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)