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1. (WO2015123078) DÉTECTION DE TEMPÉRATURE DE FIABILISATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/123078    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/014562
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 05.02.2015
CIB :
G01K 7/01 (2006.01), G01R 31/28 (2006.01)
Déposants : MICRO CONTROL COMPANY [US/US]; 7956 Main Street NE Fridley, MN 55432 (US)
Inventeurs : OLSON, Donald, Robert; (US).
HAAPALA, Daniel, Aaron; (US)
Mandataire : KAUL, Brian, D.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/939,846 14.02.2014 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE BURN-IN TEMPERATURE SENSING
(FR) DÉTECTION DE TEMPÉRATURE DE FIABILISATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A remote diode temperature sensing circuit (112) for use in a burn-in system (100) to sense a temperature of a semiconductor device (102) under test includes a temperature sense circuit (130) and an adapter circuit (142). The temperature sense circuit is configured to output temperature sense currents (Is) during a temperature sense routine. The adapter circuit is configured to drive mirrored sense currents (Ims), which mirror the temperature sense currents, through a diode (140) of the semiconductor device that is connected to an input/output package pin, and present voltage differences across the diode responsive to the mirrored sense currents to the temperature sense circuit. The temperature sense circuit is configured to discharge a temperature output signal (111) that is indicative of the temperature of the diode based on the voltage differences.
(FR)L'invention porte sur un circuit de détection de température à diode à distance (112), lequel système est destiné à être utilisé dans un système de fiabilisation (100) pour détecter une température d'un dispositif à semi-conducteurs (102) qui est testé, et lequel comprend un circuit de détection de température (130) et un circuit d'adaptateur (142). Le circuit de détection de température est configuré de façon à délivrer en sortie des courants de détection de température (Is) pendant une procédure de détection de température. Le circuit d'adaptateur est configuré de façon à délivrer des miroirs de courants de détection (Ims), qui sont symétriques des courants de détection de température, à travers une diode (140) du dispositif à semi-conducteurs, qui est connectée à une broche de boîtier d'entrée/sortie, et à présenter des différences de tension aux bornes de la diode, en réponse aux miroirs de courants de détection, au circuit de détection de température. Le circuit de détection de température est configuré de façon à décharger un signal de sortie de température (111) qui est indicatif de la température de la diode sur la base des différences de tension.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)