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1. (WO2015123074) PROCÉDÉ ET APPAREIL D'IMPLANTATION IONIQUE TRIDIMENSIONNELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/123074    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/014533
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 05.02.2015
CIB :
H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, Massachusetts 01930 (US)
Inventeurs : CHANG, Shengwu; (US)
Mandataire : DAISAK, Daniel N.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/179,988 13.02.2014 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR THREE DIMENSIONAL ION IMPLANTATION
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL D'IMPLANTATION IONIQUE TRIDIMENSIONNELLE
Abrégé : front page image
(EN)A scan system for processing a substrate with an ion beam may include a scanner to receive the ion beam having a shape of a ribbon beam, the ribbon beam having a beam width along a first axis and beam height along a second axis that is perpendicular to the first axis, the beam width being at least three times greater than the beam height; and a scan power supply to send signals to the scanner to generate a deflecting field that deflects the ribbon beam along the second axis.
(FR)L'invention concerne un système de balayage destiné à traiter un substrat avec un faisceau d'ions, qui peut comprendre un dispositif de balayage pour recevoir le faisceau d'ions ayant la forme d'un faisceau en ruban, le faisceau en ruban ayant une largeur de faisceau le long d'un premier axe et une hauteur de faisceau le long d'un second axe qui est perpendiculaire au premier axe, la largeur de faisceau étant au moins trois fois plus grande que la hauteur de faisceau ; et une alimentation électrique de balayage pour envoyer des signaux au dispositif de balayage afin de générer un champ de déviation qui dévie le faisceau en ruban le long du second axe.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)