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1. (WO2015123059) DISPOSITIF DE BLOCAGE ÉLECTROSTATIQUE RÉSISTANT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/123059    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/014351
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 04.02.2015
CIB :
H01L 21/683 (2006.01), H02H 9/00 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, Massachusetts 01930 (US)
Inventeurs : STONE, Dale K.; (US).
BLAKE, Julian G.; (US).
STONE, Lyudmila; (US)
Mandataire : DAISAK, Daniel N.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/179,030 12.02.2014 US
Titre (EN) PLASMA RESISTANT ELECTROSTATIC CLAMP
(FR) DISPOSITIF DE BLOCAGE ÉLECTROSTATIQUE RÉSISTANT AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus to support a substrate may include a base and an insulator portion adjacent to the base and configured to support a surface of the substrate. The apparatus may also include an electrode system to apply a clamping voltage to the substrate, wherein the insulator portion is configured to provide a gas to the substrate through at least one channel that has a channel width, wherein a product of the gas pressure and channel width is less than a Paschen minimum for the gas, where the Paschen minimum is a product of pressure and separation of surfaces of an enclosure at which a breakdown voltage of the gas is a minimum.
(FR)La présente invention concerne un appareil destiné à supporter un substrat et pouvant comprendre une base et une partie isolante adjacente à la base et conçue pour supporter une surface du substrat. L'appareil peut également comprendre un système d'électrodes permettant d'appliquer une tension de blocage au substrat, la partie isolante étant conçue pour alimenter en gaz le substrat par l'intermédiaire d'au moins un canal qui présente une certaine largeur de canal, un produit de la pression de gaz et de la largeur de canal étant inférieur à un minimum de Paschen pour le gaz, le minimum de Paschen correspondant à un produit de la pression et de la séparation de surfaces d'une enceinte au niveau duquel une tension de claquage du gaz atteint un minimum.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)