Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2015123043) COUCHE SEMI-CONDUCTRICE AU III-N SUR SUBSTRAT DE SI

Pub. No.:    WO/2015/123043    International Application No.:    PCT/US2015/014034
Publication Date: Fri Aug 21 01:59:59 CEST 2015 International Filing Date: Tue Feb 03 00:59:59 CET 2015
IPC: H01L 29/12
H01L 21/20
H01L 29/20
Applicants: TRANSLUCENT, INC.
Inventors: DARGIS, Rytis
CLARK, Andrew
PHAM, Nam
ARKUN, Erdem
Title: COUCHE SEMI-CONDUCTRICE AU III-N SUR SUBSTRAT DE SI
Abstract:
L'invention concerne un procédé consistant à faire croître du matériau semi-conducteur au III-N sur un substrat de silicium dont les étapes consistent à faire croître une couche d'oxyde de terre rare épitaxique sur un substrat de silicium monocristallin et à modifier la surface de la couche d'oxyde de terre rare épitaxique avec du plasma d'azote. Les étapes du procédé consistent en outre à faire croître une couche de nitrure de gallium épitaxique à basse température sur la surface modifiée de la couche d'oxyde de terre rare épitaxique et à faire croître une couche de matériau semi-conducteur au III-N épitaxique brut sur la couche de nitrure de gallium épitaxique à basse température.