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1. (WO2015123043) COUCHE SEMI-CONDUCTRICE AU III-N SUR SUBSTRAT DE SI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/123043    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/014034
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 02.02.2015
CIB :
H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01)
Déposants : TRANSLUCENT, INC. [US/US]; 952 Commercial Street Palo Alto, CA 94303 (US)
Inventeurs : DARGIS, Rytis; (US).
CLARK, Andrew; (US).
PHAM, Nam; (US).
ARKUN, Erdem; (US)
Mandataire : PARSONS, Robert, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/179,040 12.02.2014 US
Titre (EN) III-N SEMICONDUCTOR LAYER ON SI SUBSTRATE
(FR) COUCHE SEMI-CONDUCTRICE AU III-N SUR SUBSTRAT DE SI
Abrégé : front page image
(EN)A method of growing III-N semiconducting material on a silicon substrate including the steps of growing a layer of epitaxial rare earth oxide on a single crystal silicon substrate and modifying the surface of the layer of epitaxial rare earth oxide with nitrogen plasma. The method further includes the steps of growing a layer of low temperature epitaxial gallium nitride on the modified surface of the layer of epitaxial rare earth oxide and growing a layer of bulk epitaxial III-N semiconductive material on the layer of low temperature epitaxial gallium nitride.
(FR)L'invention concerne un procédé consistant à faire croître du matériau semi-conducteur au III-N sur un substrat de silicium dont les étapes consistent à faire croître une couche d'oxyde de terre rare épitaxique sur un substrat de silicium monocristallin et à modifier la surface de la couche d'oxyde de terre rare épitaxique avec du plasma d'azote. Les étapes du procédé consistent en outre à faire croître une couche de nitrure de gallium épitaxique à basse température sur la surface modifiée de la couche d'oxyde de terre rare épitaxique et à faire croître une couche de matériau semi-conducteur au III-N épitaxique brut sur la couche de nitrure de gallium épitaxique à basse température.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)