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1. (WO2015122901) SUBSTRAT À COUCHE ISOLANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/122901    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/016400
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 14.02.2014
CIB :
C25D 13/00 (2006.01), C25D 13/12 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive W. Houston, Texas 77070 (US)
Inventeurs : WU, Kuan-Ting; (TW).
KANG, Yu-Chuan; (TW).
HUANG, Chung-Hung; (TW)
Mandataire : WEBB, Steven L.; Hewlett-Packard Company Intellectual Property Administration 3404 E. Harmony Road Mail Stop 35 Fort Collins, Colorado 80528 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SUBSTRATE WITH INSULATING LAYER
(FR) SUBSTRAT À COUCHE ISOLANTE
Abrégé : front page image
(EN)A substrate with a Micro-Arc Oxidation (MAO) layer or an electrophoretic deposition (ED) layer on a first side of the substrate and an electrically insulating layer on a second side of the substrate.
(FR)L'invention concerne un substrat comprenant une couche d'Oxydation Micro-Arc (MAO) ou une couche de dépôt électrophorétique (ED) sur un premier côté du substrat et une couche électriquement isolante sur un deuxième côté du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)