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1. (WO2015122870) ANTIFUSIBLE À BORNES REMPLIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/122870    N° de la demande internationale :    PCT/US2014/015673
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 11.02.2014
CIB :
H01L 21/82 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
LEE, Chen Guan [--/US]; (US) (US only).
HAFEZ, Walid M [US/US]; (US) (US only).
JAN, Chia Hong [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : LEE, Chen Guan; (US).
HAFEZ, Walid M; (US).
JAN, Chia Hong; (US)
Mandataire : HOWARD, James M; Law Offices Of James M. Howard C/O CPA GLOBAL P.O. Box 52050 Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ANTIFUSE WITH BACKFILLED TERMINALS
(FR) ANTIFUSIBLE À BORNES REMPLIES
Abrégé : front page image
(EN)An antifuse may include a non-planar conductive terminal having a high-z portion extending to a greater z-height than a low-z portion. A second conductive terminal is disposed over the low-z portion and separated from the first terminal by at least one intervening dielectric material. Fabrication of an antifuse may include forming a first opening in a first dielectric material disposed over a substrate, and undercutting a region of the first dielectric material. The undercut region of the first dielectric material is lined with a second dielectric material, such as gate dielectric material, through the first opening. A conductive first terminal material backfills the lined undercut region through the first opening. A second opening through the first dielectric material exposes the second dielectric material lining the undercut region. A conductive second terminal material is backfilled in the second opening.
(FR)L'invention concerne un antifusible qui peut comprendre une borne conductrice non-plane possédant une portion à Z élevé s'étendant sur une hauteur Z plus grande qu'une portion à Z faible. Une deuxième borne conductrice est disposée sur la portion à Z faible et séparée de la première borne par au moins un matériau diélectrique intermédiaire. La fabrication d'un antifusible peut comprendre la formation d'une première ouverture dans un premier matériau diélectrique disposé sur un substrat, et la contre-dépouille d'une région du premier matériau diélectrique. La région de contre-dépouille du premier matériau diélectrique est revêtue d'un deuxième matériau diélectrique, tel qu'un matériau diélectrique de gâchette, à travers la première ouverture. Un premier matériau de borne conducteur remplit la région de contre-dépouille revêtue à travers la première ouverture. Une deuxième ouverture à travers le premier matériau diélectrique expose le deuxième matériau diélectrique recouvrant la région de contre-dépouille. Un deuxième matériau de borne conducteur remplit la deuxième ouverture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)