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1. (WO2015122792) COMPRESSEUR ET PROCÉDÉ DE REFROIDISSEMENT DU COMPRESSEUR AU MOYEN D'UN EFFET DE THERMOSIPHON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/122792    N° de la demande internationale :    PCT/RU2014/000097
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 14.02.2014
CIB :
F04D 29/053 (2006.01), F04D 29/056 (2006.01), F04D 29/057 (2006.01), F04D 29/58 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 80333 Muenchen (DE)
Inventeurs : DANOV, Vladimir; (DE).
SOTSKIY, Sergey Pavlovich; (RU).
MUSTAFINA, Daria Alexandrovna; (NL)
Mandataire : MITS, Alexander Vladimirovich; LAW FIRM "GORODISSKY & PARTNERS" LTD ul. B. Spasskaya, 25-3 Moscow, 129090 (RU)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) COMPRESSOR AND METHOD FOR COOLING THE COMPRESSOR USING A THERMOSIPHON EFFECT
(FR) COMPRESSEUR ET PROCÉDÉ DE REFROIDISSEMENT DU COMPRESSEUR AU MOYEN D'UN EFFET DE THERMOSIPHON
(RU) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК КИСЛОРОДА
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a compressor (1) for the compression of a fluid, with a stator (2), a rotor (3), and at least one impeller (7) mechanically connected to the rotor (3) and to a method cooling the compressor (1). The rotor (3) comprises a hollow shaft with a cavity (4) for a cooling fluid. For cooling the compressor (1) the thermosiphon effect is used.
(FR)La présente invention concerne un compresseur (1) pour la compression d'un fluide doté d'un stator (2), d'un rotor (3) et d'au moins un impulseur (7) raccordé mécaniquement au rotor (3) et un procédé de refroidissement du compresseur (1). Le rotor (3) comprend un arbre creux doté d'une cavité (4) pour un fluide de refroidissement. Pour refroidir le compresseur (1), l'effet de thermosiphon est utilisé.
(RU)Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания кислорода. Газовый датчик содержит диэлектрическую подложку с нанесенным слоем полупроводникового материала толщиной от 0,07мкм до 0.2 мкм. На слой нанесены металлические электроды. В качестве полупроводникового материала используется поликристаллический материал состава Sm1-xLnxS, где х изменяется от 0 до 0.14, а Ln представляет собой один из элементов: La, Ce, Pr, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu. Технический результат - изготовление датчика для измерения содержания кислорода, обладающего повышенной чувствительностью. я
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)