Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2015122369) MÉTHODE DE SIMULATION DE COURANT INTRACÉRÉBRAL ET DISPOSITIF ASSOCIÉ, ET SYSTÈME DE STIMULATION MAGNÉTIQUE TRANSCRÂNIENNE COMPRENANT LEDIT DISPOSITIF DE SIMULATION DE COURANT INTRACÉRÉBRAL

Pub. No.:    WO/2015/122369    International Application No.:    PCT/JP2015/053390
Publication Date: Fri Aug 21 01:59:59 CEST 2015 International Filing Date: Sat Feb 07 00:59:59 CET 2015
IPC: A61N 2/00
A61B 5/05
A61B 5/055
Applicants: THE UNIVERSITY OF TOKYO
国立大学法人東京大学
OSAKA UNIVERSITY
国立大学法人大阪大学
Inventors: SAITOH, Youichi
齋藤 洋一
SEKINO, Masaki
関野 正樹
TAKIYAMA, Yoshihiro
瀧山 善弘
YAMAMOTO, Keita
山本 啓太
Title: MÉTHODE DE SIMULATION DE COURANT INTRACÉRÉBRAL ET DISPOSITIF ASSOCIÉ, ET SYSTÈME DE STIMULATION MAGNÉTIQUE TRANSCRÂNIENNE COMPRENANT LEDIT DISPOSITIF DE SIMULATION DE COURANT INTRACÉRÉBRAL
Abstract:
La présente invention concerne une méthode de simulation de courant intracérébral comprenant : une première étape consistant à fournir des données d'image de la tête qui comprend au moins une partie du cerveau à partir de données d'image tomographique d'un patient ; une deuxième étape consistant à former un modèle tridimensionnel du cerveau comprenant des micro-unités polyédriques qui sont obtenues en divisant en micro-éléments au moins une région constituant le cerveau à partir des données d'image de tête obtenues à l'étape 1 ; une troisième étape consistant à fournir de premières informations qui comprennent les conditions dans lesquelles une bobine est placée sur la tête du patient, un courant électrique est appliqué à la bobine de sorte à appliquer une stimulation magnétique au cerveau du patient, et la réaction du patient à la stimulation magnétique est observée, les conditions étant au moins la condition de position et d'orientation de la bobine, la condition du courant électrique appliqué à la bobine, et la condition d'une structure dépendant d'un champ magnétique généré par la bobine ; et une quatrième étape consistant à calculer un courant de Foucault ou le champ électrique induit à l'intérieur de chacune des micro-unités polyédriques du modèle tridimensionnel du cerveau sur la base des premières informations obtenues à la troisième étape et des secondes informations qui comprennent la conductivité associée à chaque micro-unité polyédrique.