Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2015122223) SUBSTRAT DE MANIPULATION DE SUBSTRAT COMPOSITE POUR SEMI-CONDUCTEUR ET SUBSTRAT COMPOSITE POUR SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2015/122223    International Application No.:    PCT/JP2015/050576
Publication Date: Fri Aug 21 01:59:59 CEST 2015 International Filing Date: Wed Jan 14 00:59:59 CET 2015
IPC: H01L 21/02
Applicants: NGK INSULATORS, LTD.
日本碍子株式会社
Inventors: MIYAZAWA Sugio
宮澤 杉夫
IWASAKI Yasunori
岩崎 康範
TAKAGAKI Tatsuro
高垣 達朗
IDE Akiyoshi
井出 晃啓
NAKANISHI Hirokazu
中西 宏和
Title: SUBSTRAT DE MANIPULATION DE SUBSTRAT COMPOSITE POUR SEMI-CONDUCTEUR ET SUBSTRAT COMPOSITE POUR SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne un substrat de manipulation (1) d'un substrat composite pour semi-conducteurs qui est constitué d'alumine polycristalline. Le diamètre de grain moyen de la partie périphérique (8) du substrat de manipulation (1) est compris entre 20 et 55 µm. Le diamètre de grain moyen de la partie centrale (20) du substrat de manipulation est compris entre 10 et 50 µm. Le diamètre de grain moyen de la partie périphérique (8) du substrat de manipulation représente 1,1 à 3,0 fois le diamètre de grain moyen de la partie centrale (20).