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1. (WO2015122049) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE COMMUTATION À GÂCHETTE ISOLÉE, ET ÉLÉMENT DE COMMUTATION À GÂCHETTE ISOLÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/122049 N° de la demande internationale : PCT/JP2014/076721
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 06.10.2014
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
Déposants :
添野 明高 SOENO Akitaka; JP (US)
竹内 有一 TAKEUCHI Yuichi; JP (US)
副島 成雅 SOEJIMA Narumasa; JP (US)
トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 愛知県豊田市トヨタ町1番地 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-shi, Aichi 4488661, JP (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
Inventeurs :
添野 明高 SOENO Akitaka; JP
竹内 有一 TAKEUCHI Yuichi; JP
副島 成雅 SOEJIMA Narumasa; JP
Mandataire :
特許業務法人 快友国際特許事務所 KAI-U PATENT LAW FIRM; 愛知県名古屋市西区牛島町6番1号 名古屋ルーセントタワー9階 NAGOYA LUCENT TOWER 9F, 6-1, Ushijima-cho,Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4516009, JP
Données relatives à la priorité :
2014-02775017.02.2014JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING INSULATED GATE SWITCHING ELEMENT, AND INSULATED GATE SWITCHING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE COMMUTATION À GÂCHETTE ISOLÉE, ET ÉLÉMENT DE COMMUTATION À GÂCHETTE ISOLÉE
(JA) 絶縁ゲート型スイッチング素子を製造する方法及び絶縁ゲート型スイッチング素子
Abrégé :
(EN) This method for manufacturing an insulated gate switching element has: a step for forming a second conductivity-type second region (27) in a surface of a semiconductor substrate by implanting a second conductivity-type impurity in the surface; a step for forming a second conductivity-type third region (26) on the surface by means of epitaxial growing, said third region having a lower second conductivity-type impurity concentration than the second region (27); and a step for forming a trench gate electrode (34b).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de commutation à gâchette isolée comprenant les étapes suivantes : formation d'une deuxième région d'un deuxième type de conductivité (27) dans une surface d'un substrat en semiconducteur en implantant une impureté du deuxième type de conductivité dans la surface ; formation d'une troisième région d'un deuxième type de conductivité (26) sur la surface au moyen de la croissance épitaxiale, ladite troisième région possédant une concentration d'impuretés du deuxième type de conductivité plus faible que la deuxième région (27) ; et formation d'une électrode de gâchette en tranchée (34b).
(JA) 【解決手段】 絶縁ゲート型スイッチング素子を製造する方法であって、半導体基板の表面に第2導電型不純物を注入することによってその表面に第2導電型の第2領域27を形成する工程と、その表面上に第2領域27よりも第2導電型不純物濃度が低い第2導電型の第3領域26をエピタキシャル成長により形成する工程と、レンチゲート電極34bを形成する工程を有する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)