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1. (WO2015121899) MODULE À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/121899    N° de la demande internationale :    PCT/JP2014/003464
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 30.06.2014
CIB :
H02M 7/48 (2007.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : TAMADA, Yoshiko; (JP).
NAKASHIMA, Junichi; (JP).
NAKAYAMA, Yasushi; (JP).
HAYASHIDA, Yukimasa; (JP)
Mandataire : INABA, Tadahiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2014-023922 11.02.2014 JP
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) 電力用半導体モジュール
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a power semiconductor module capable of suppressing current unbalance by increasing an inductance ratio of a wiring pattern, and reducing variance of source potentials of self-arc-extinguishing semiconductor elements mounted on an insulating substrate. This power semiconductor module is characterized in being provided with: positive and negative arms, each of which is configured by connecting self-arc-extinguishing semiconductor elements (6) in series, and has series connection points of the self-arc-extinguishing semiconductor elements (6); and a substrate (2) having formed thereon positive electrode-side electrodes (10), negative electrode-side electrodes (11), and alternating current electrodes (12), said positive electrode-side electrodes, negative electrode-side electrodes, and alternating current electrodes being connected to the positive and negative arms, and a plurality of wiring patterns (3, 4), which connect the self-arc-extinguishing semiconductor elements (6) of the positive and negative arms with positive electrode-side electrodes (10), the negative electrode-side electrodes (11), and the alternating current electrodes (12). The power semiconductor module is also characterized in that the directions in which currents are flowing in the wiring patterns (4) adjacent to each other are same, and one of the wiring patterns (4) is disposed mirror-symmetrical with respect to the other one of the wiring patterns (4).
(FR)L'invention concerne un module à semi-conducteur de puissance pouvant supprimer un déséquilibre de courant par augmentation d'un rapport d'inductance d'un motif de câblage, et réduire la variance de potentiels de source d'éléments à semi-conducteur d'auto-extinction d'arc montés sur un substrat isolant. Ce module à semi-conducteur de puissance est caractérisé en ce qu'il comprend : des bras positif et négatif, dont chacun est configuré par connexion en série d'éléments à semi-conducteur d'auto-extinction d'arc (6) et comprend des points de connexion en série des éléments à semi-conducteur d'auto-extinction d'arc (6) ; et un substrat (2) sur lequel sont formées des électrodes côté électrode positive (10), des électrodes côté électrode négative (11) et des électrodes de courant alternatif (12), lesdites électrodes côté électrode positive, lesdites électrodes côté électrode négative et lesdites électrodes de courant alternatif étant connectées aux bras positif et négatif, et une pluralité de motifs de câblage (3, 4) qui connectent les éléments à semi-conducteur d'auto-extinction d'arc (6) des bras positif et négatif aux électrodes côté électrode positive (10), aux électrodes côté électrode négative (11) et aux électrodes de courant alternatif (12). Le module à semi-conducteur de puissance est également caractérisé en ce que les sens dans lesquels des courants circulent dans les motifs de câblage (4) adjacents l'un à l'autre sont les mêmes, et l'un des motifs de câblage (4) est disposé en symétrie miroir relativement à l'autre des motifs de câblage (4).
(JA)配線パターンのインダクタンスの割合を増大させ、絶縁基板に搭載された自己消弧型半導体素子のソース電位のばらつきを低減することで、電流アンバランスが抑制可能な電力用半導体モジュールを得る。自己消弧型半導体素子(6)を直列接続して構成され、自己消弧型半導体素子(6)の直列接続点を有する正負アームと、正負アームに接続される正極側電極(10)、負極側電極(11)、および交流電極(12)と、正負アームの自己消弧型半導体素子(6)と正極側電極(10)、負極側電極(11)、および交流電極(12)とを接続する複数の配線パターン(3,4)が形成された基板(2)とを備え、隣接する配線パターン(4)に流れる電流の方向が同じで、一方の配線パターン(4)が他方の配線パターン(4)に対して鏡面対称に配置されたことを特徴とする電力用半導体モジュール。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)