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1. (WO2015121771) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/121771    N° de la demande internationale :    PCT/IB2015/050768
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 02.02.2015
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01M 10/04 (2006.01), H01M 10/0562 (2010.01), H01M 10/0585 (2010.01), H01M 10/46 (2006.01), H01M 10/613 (2014.01), H02J 7/00 (2006.01), H02J 17/00 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : MOMO, Junpei; (JP).
KURIKI, Kazutaka; .
GODO, Hiromichi; .
YAMAZAKI, Shunpei;
Données relatives à la priorité :
2014-026312 14.02.2014 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device in which a circuit and a battery are efficiently stored is provided. In the semiconductor device, a first transistor, a second transistor, and a secondary battery are provided over one substrate. A channel region of the second transistor includes an oxide semiconductor. The secondary battery includes a solid electrolyte, and can be fabricated by a semiconductor manufacturing process. The substrate may be a semiconductor substrate or a flexible substrate. The secondary battery has a function of being wirelessly charged.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur dans lequel un circuit et une pile sont efficacement stockés. Dans le dispositif semi-conducteur, un premier transistor, un second transistor et une pile secondaire sont disposés sur un substrat. Une région de canal du second transistor comporte un oxyde semi-conducteur. La pile secondaire comprend un électrolyte solide et peut être fabriquée par un procédé de fabrication de semi-conducteurs. Le substrat peut être un substrat semi-conducteur ou un substrat flexible. La pile secondaire possède une fonction de charge sans fil.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)