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1. (WO2015121399) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET PUCE OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/121399    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/053051
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 13.02.2015
CIB :
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : BERGBAUER, Werner; (DE).
LEHNHARDT, Thomas; (DE).
OFF, Jürgen; (DE).
HERTKORN, Joachim; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2014 101 966.0 17.02.2014 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET PUCE OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterchips (100) angegeben mit den Schritten: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) mit einer Aufwachsoberfläche (10), die durch eine ebene Fläche (11) mit einer Vielzahl dreidimensional ausgeformter Oberflächenstrukturen (12) auf der ebenen Fläche (11) gebildet wird, - großflächiges Aufbringen einer Nukleationsschicht (2) aus sauerstoffhaltigem AlN unmittelbar auf der Aufwachsoberfläche (10), - Aufwachsen einer Nitrid-basierten Halbleiterschichtenfolge (3) auf der Nukleationsschicht (2), wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) selektiv von der ebenen Fläche (11) her aufgewachsen wird. Weiterhin wird ein elektronischer Halbleiterchip angegeben.
(EN)Disclosed is a method for producing an electronic semiconductor chip (100), said method comprising the steps: provision of a growth substrate (1) comprising a growth surface (10) formed by a flat region (11) having a plurality of three-dimensionally formed surface structures (12) on the flat region (11); large-scale, direct application of a nucleation layer (2) consisting of oxygen-containing AlN to the growth surface (10); growth of a nitride-based semiconductor layer sequence (3) on the nucleation layer (2), the semiconductor layer sequence (3) being grown upwards selectively from the flat region (11). Also disclosed is an electronic semiconductor chip.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce électronique à semi-conducteur (100), comprenant les étapes consistant à : - produire un substrat de croissance (1) présentant une surface de croissance (10) qui est formée par une surface plane (11) pourvue d'une pluralité de structures de surface (12) tridimensionnelles sur la surface plane (11), - appliquer sur une grande surface une couche de nucléation (2) constituée d'AlN, contenant de l'oxygène, directement sur la surface de croissance (10), - faire croître une succession de couches de semi-conducteur à base de nitrure (3) sur la couche de nucléation (2), la croissance de la succession de couches de semi-conducteur (3) étant effectuée de manière sélective à partir de la surface plane (11). L'invention concerne en outre une puce électronique à semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)