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1. (WO2015121199) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN PLOT DE CONTACT SUR UNE INTERCONNEXION VERTICALE COMPORTANT UNE CAVITÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/121199    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/052647
Date de publication : 20.08.2015 Date de dépôt international : 09.02.2015
CIB :
H01L 23/485 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01)
Déposants : AMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten Tobelbader Str. 30 A-8141 Unterpremstätten (AT)
Inventeurs : SCHREMS, Martin; (AT).
STERING, Bernhard; (AT).
ETSCHMAIER, Harald; (AT)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
14154852.9 12.02.2014 EP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A BUMP CONTACT ON A TSV COMPRISING A CAVITY AND METHOD OF PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN PLOT DE CONTACT SUR UNE INTERCONNEXION VERTICALE COMPORTANT UNE CAVITÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The semiconductor device comprises a semiconductor substrate (1) with a main surface (10) and a further main surface (11) opposite the main surface, a TSV (3) penetrating the substrate from the main surface to the further main surface, a metallization (13) of the TSV, an under-bump metallization (5) and a bump contact (6) at least partially covering the TSV at the further main surface. The TSV (3) comprises a cavity (15), which may be filled with a gas or liquid. An opening (15') of the cavity is provided to expose the cavity to the environment.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur (1) présentant une surface principale (10) et une autre surface principale (11) opposée à ladite surface principale, une interconnexion verticale (3) pénétrant dans le substrat de la surface principale à l'autre surface principale, une métallisation (13) de l'interconnexion verticale, une métallisation sous-plot (5) et un plot de contact (6) recouvrant au moins en partie l'interconnexion verticale au niveau de l'autre surface principale. L'interconnexion verticale (3) comprend une cavité (15) qui peut être remplie de gaz ou de liquide. Une ouverture (15') de la cavité sert à exposer la cavité à l'environnement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)