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1. (WO2015120432) TRANSISTOR À JONCTION BIPOLAIRE IMPLANTÉE ET À TRANCHÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2015/120432    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/015156
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 10.02.2015
CIB :
H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/732 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/102 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01)
Déposants : UNITED SILICON CARBIDE, INC. [US/US]; 7 Deer Park Drive Suite E Monmouth Junction, NJ 08852 (US)
Inventeurs : BHALLA, Anup; (US).
FURSIN, Leonid; (US)
Mandataire : ROSEDALE, Jeffrey, H.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/937,798 10.02.2014 US
Titre (EN) TRENCHED AND IMPLANTED BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À JONCTION BIPOLAIRE IMPLANTÉE ET À TRANCHÉE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention concerns a monolithically merged trenched-and-implanted Bipolar Junction Transistor (TI-BJT) with antiparallel diode and a method of manufacturing the same. Trenches are made in a collector, base, emitter stack downto the collector. The base electrode is formed on an implanted base contact region at the bottom surface of the trench. The present invention also provides for products produced by the methods of the present invention and for apparatuses used to perform the methods of the present invention.
(FR)La présente invention concerne un transistor à jonction bipolaire implantée et à tranchée (TI-BJT) fusionné monolithiquement avec diode antiparallèle et son procédé de fabrication. Des tranchées sont introduites dans un collecteur, une base, un empilement d'émetteur jusqu'au collecteur. L'électrode de base est formée sur une région de contact de base implantée au niveau de la surface inférieure de la tranchée. La présente invention porte également sur des produits fabriqués par les procédés de la présente invention et sur des appareils utilisés pour réaliser les procédés de la présente invention.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)