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PATENTSCOPE

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1. (WO2015120375) CONDENSATEURS À FACTEUR DE QUALITÉ ÉLEVÉ ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CONDENSATEURS À FACTEUR DE QUALITÉ ÉLEVÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2015/120375 N° de la demande internationale : PCT/US2015/014995
Date de publication : 13.08.2015 Date de dépôt international : 09.02.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 02.12.2015
CIB :
H01L 49/02 (2006.01) ,H01G 4/33 (2006.01) ,H01G 4/012 (2006.01) ,H01L 21/48 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs : YUN, Changhan Hobie; US
KIM, Daeik Daniel; US
ZUO, Chengjie; US
KIM, Jonghae; US
VELEZ, Mario Francisco; US
KIDWELL, JR., Donald William; US
LASITER, Jon Bradley; US
LAI, Kwan-Yu; US
KIM, Jitae; US
SHENOY, Ravindra Vaman; US
Mandataire : OLDS, Mark E.; US
Données relatives à la priorité :
14/177,07210.02.2014US
Titre (EN) HIGH QUALITY FACTOR CAPACITORS AND METHODS FOR FABRICATING HIGH QUALITY FACTOR CAPACITORS
(FR) CONDENSATEURS À FACTEUR DE QUALITÉ ÉLEVÉ ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CONDENSATEURS À FACTEUR DE QUALITÉ ÉLEVÉ
Abrégé : front page image
(EN) Provided are space-efficient capacitors that have a higher quality factor than conventional designs and improve coupling of electrical energy from a through-glass via (TGV) to a dielectric. For example, provided is a TGV having a non-rectangular cross-section, where one end of the TGV is coupled to a first metal plate. A dielectric material is formed on the first metal plate. A second metal plate is formed on the dielectric material in a manner that overlaps at least a portion of the first metal plate to form at least one overlapped region of the dielectric material. At least a part of the perimeter of the overlapped region is non-planar. The overlapped region can be formed in a shape of a closed ring, in a plurality of portions of a ring shape, in substantially a quarter of a ring shape, and/or in substantially a half of a ring shape.
(FR) La présente invention concerne des condensateurs efficaces en termes d'espace qui ont un facteur de qualité supérieur par rapport aux conceptions classiques et améliorent le couplage d'énergie électrique d'un trou d'interconnexion traversant du verre (TGV) à un diélectrique. Par exemple, l'invention concerne un TGV ayant une section transversale non rectangulaire, une extrémité du TGV étant couplée à une première plaque métallique. Un matériau diélectrique est formé sur la première plaque métallique. Une seconde plaque métallique est formée sur le matériau diélectrique de manière à chevaucher au moins une partie de la première plaque métallique pour former au moins une région de chevauchement du matériau diélectrique. Au moins une partie du périmètre de la région de chevauchement est non plane. La région de chevauchement peut se présenter sous la forme d'un anneau fermé, d'une pluralité de parties de forme annulaire, de sensiblement un quart de forme annulaire, et/ou de sensiblement une moitié de forme annulaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)